AT45DB641E AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-MHN2 B-T Adesto Technologies NI componentes de IC de memoria Flash

Componentes IC de memoria FLASH NOR de AT45DB641E-SHN2B-T Adesto Technologies

AT45DB641E-SHN2B-T ICMemoria FLASH IC 64Mb (256 Bytes x 32K páginas) SPI 85 MHz 8-SOIC

DataFlash de 64 Mbits (con 2 Mbits adicionales), memoria flash serie SPI de 1,7 V como mínimo

AT45DB641E-MHN2B-TFLASH IC 64MBIT SPI 85MHZ 8UDFN

Flash NOR de 64 Mbit, Vcc ancho (1,7 V a 3,6 V), -40 °C a 85 °C, modo de página binaria de 512 bytes, DFN 5x6 (cinta y carrete), DataFlash SPI único

AT45DB641E Descripción:

El AT45DB641E es una memoria Flash de acceso secuencial con interfaz serie de 1,7 V como mínimo, ideal para una amplia variedad de aplicaciones digitales de voz, imagen, código de programa y almacenamiento de datos. El AT45DB641E también admite la interfaz serie RapidS para aplicaciones que requieren un funcionamiento de muy alta velocidad. Sus 69.206.016 bits de memoria están organizados en 32.768 páginas de 256 bytes o 264 bytes cada una. Además de la memoria principal, el AT45DB641E también contiene dos buffers SRAM de 256/264 bytes cada uno. El entrelazado entre ambos buffers puede aumentar drásticamente la capacidad de un sistema para escribir un flujo de datos continuo. Además, los buffers SRAM se pueden utilizar como memoria de borrador adicional del sistema, y ​​la emulación E2PROM (alterabilidad de bits o bytes) se puede manejar fácilmente con una operación de lectura, modificación y escritura autónoma de tres pasos. A diferencia de las memorias Flash convencionales a las que se accede aleatoriamente con múltiples líneas de dirección y una interfaz paralela, el DataFlash® utiliza una interfaz en serie para acceder secuencialmente a sus datos. El acceso secuencial simple reduce drásticamente el número de pines activos, facilita el diseño simplificado del hardware, aumenta la confiabilidad del sistema, minimiza el ruido de conmutación y reduce el tamaño del paquete. El dispositivo está optimizado para su uso en muchas aplicaciones comerciales e industriales donde la alta densidad, el bajo número de pines, el bajo voltaje y la baja potencia son esenciales. Para permitir una reprogramabilidad simple en el sistema, el AT45DB641E no requiere altos voltajes de entrada para la programación. El dispositivo funciona con una única fuente de alimentación de 1,7 V a 3,6 V para las operaciones de borrado, programación y lectura. El AT45DB641E se habilita a través del pin de selección de chip (CS) y se accede a través de una interfaz de 3 cables que consta de entrada serie (SI), salida serie (SO) y reloj serie.
 

Características:

Suministro único de 1,7 V - 3,6 V

Compatible con interfaz periférica serie (SPI) Soporta los modos SPI 0 y 3

Soporta operación RapidS™

Capacidad de lectura continua en todo el conjunto

Hasta 85MHzOpción de lectura de bajo consumo de hasta 15MHz

Tiempo de reloj a salida (tV) de 8 ns como máximo

Tamaño de página configurable por el usuario

256 bytes por página

264 bytes por página (predeterminado)

El tamaño de página se puede preconfigurar de fábrica para 256 bytes

Dos buffers de datos SRAM totalmente independientes (256/264 bytes)

Permite recibir datos mientras se reprograma la matriz de memoria principal.

Opciones de programación flexibles

Programa de bytes/páginas (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal

Escritura en búfer | Programa de memoria intermedia a página de memoria principal

Opciones de borrado flexiblesBorrado de página (256/264 bytes)

Borrado de bloque (2 KB)  Borrado de sector (256 KB)  Borrado de chip (64 Mbits)

Programar y borrar Suspender/Reanudar

Funciones avanzadas de protección de datos de hardware y software

Protección del sector individualBloqueo del sector individual para que cualquier sector sea permanentemente de solo lectura

Registro de seguridad programable una sola vez (OTP) de 128 bytes

64 bytes programados de fábrica con un identificador único

64 bytes programables por el usuario Opciones de reinicio controladas por hardware y software

Lectura de ID de dispositivo y fabricante estándar JEDEC

Disipación de baja potencia

Corriente de apagado ultra profundo de 400 nA (típica)

Corriente de apagado profundo de 5 µA (típica)

Corriente de espera de 25 µA (típica)

Corriente de lectura activa de 7 mA (típica)

Resistencia: 100.000 ciclos de programación/borrado por página mínimo

Retención de datos: 20 años

Cumple con el rango de temperatura industrial completo

Opciones de embalaje ecológico (sin Pb/haluros/que cumple con RoHS)

SOIC de 8 conductores (0,208" de ancho)DFN ultrafino de 8 almohadillas (5 x 6 x 0,6 mm)

8 almohadillas DFN muy delgadas (6 x 8 x 1,0 mm)

dBGA de 44 bolas (matriz de bolas modificada de 6 x 8)

Adesto Technologies NOR FLASH Memoria Circuito integrado IC Especificación:

Circuito integrado IC de SEMICONDUCTOR de diálogo similarAdesto Tecnologías:

AT45DB641E,AT45DB641E-SHN2B-T,AT45DB641E-MHN2B-T,AT45DB641E-MWHN2B-T,AT45DB641E-UUN2B-T,AT45DB641E-SHN-B,AT45DB64 1E-SHN-T,AT45DB641E-MHN-Y,AT45DB641E-MHN-T,AT45DB641E-MWHN-Y,AT45DB641E-MWHN-T,AT45DB641E-UUN-T,AT45DB641E-DWF,EN 45DB641E-SHN2B-B

Más popularNúmero de piezas de circuito integrado IC: