Τεχνολογίες AT45DB641E at45db641e-shn2b-τ at45db641e-mhn2b-τ Adesto ΟΎΤΕ τμήματα ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

AT45DB641E-SHN2B-T Adesto Technologies ΟΥΤΕ Μνήμη FLASH Εξαρτήματα IC

AT45DB641E-SHN2B-T ICΜνήμη FLASH IC 64Mb (256 Byte x 32K σελίδες) SPI 85 MHz 8-SOIC

DataFlash 64 Mbit (με επιπλέον 2 Mbit), ελάχιστη σειριακή μνήμη Flash 1,7 V SPI

AT45DB641E-MHN2B-TIC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8UDFN

NOR Flash 64 Mbit, Wide Vcc (1,7V έως 3,6V), -40C έως 85C, Λειτουργία δυαδικής σελίδας 512 Byte, DFN 5x6 (Tape & Reel), Single SPI DataFlash

AT45DB641E Περιγραφή :

Το AT45DB641E είναι μια μνήμη Flash διαδοχικής πρόσβασης σειριακής διεπαφής ελάχιστης 1,7 V, ιδανική για μια μεγάλη ποικιλία εφαρμογών ψηφιακής φωνής, εικόνας, κώδικα προγράμματος και αποθήκευσης δεδομένων. Το AT45DB641E υποστηρίζει επίσης τη σειριακή διεπαφή RapidS για εφαρμογές που απαιτούν λειτουργία πολύ υψηλής ταχύτητας. Τα 69.206.016 bit της μνήμης του είναι οργανωμένα ως 32.768 σελίδες των 256 byte ή 264 byte η καθεμία. Εκτός από την κύρια μνήμη, το AT45DB641E περιέχει επίσης δύο buffer SRAM των 256/264 byte το καθένα. Η παρεμβολή μεταξύ των δύο buffer μπορεί να αυξήσει δραματικά την ικανότητα ενός συστήματος να γράφει μια συνεχή ροή δεδομένων. Επιπλέον, οι buffers SRAM μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως πρόσθετη μνήμη συστήματος scratch pad και η εξομοίωση E2PROM (με δυνατότητα αλλαγής bit ή byte) μπορεί εύκολα να αντιμετωπιστεί με μια αυτόνομη λειτουργία ανάγνωσης-τροποποίησης-εγγραφής τριών βημάτων. Σε αντίθεση με τις συμβατικές μνήμες Flash που προσπελάζονται τυχαία με πολλές γραμμές διευθύνσεων και μια παράλληλη διεπαφή σειριακής πρόσβασης, το DataF χρησιμοποιεί σειριακή διεπαφή. Η απλή διαδοχική πρόσβαση μειώνει δραματικά τον αριθμό των ενεργών ακίδων, διευκολύνει την απλοποιημένη διάταξη υλικού, αυξάνει την αξιοπιστία του συστήματος, ελαχιστοποιεί τον θόρυβο μεταγωγής και μειώνει το μέγεθος της συσκευασίας. Η συσκευή είναι βελτιστοποιημένη για χρήση σε πολλές εμπορικές και βιομηχανικές εφαρμογές όπου η υψηλή πυκνότητα, ο αριθμός ακίδων, η χαμηλή τάση και η χαμηλή ισχύς είναι απαραίτητες. Για να επιτρέψει τον απλό επαναπρογραμματισμό στο σύστημα, το AT45DB641E δεν απαιτεί υψηλές τάσεις εισόδου για προγραμματισμό. Η συσκευή λειτουργεί από ένα μόνο τροφοδοτικό 1,7V έως 3,6V για τις λειτουργίες διαγραφής, προγραμματισμού και ανάγνωσης. Το AT45DB641E ενεργοποιείται μέσω του ακροδέκτη Chip Select (CS) και έχει πρόσβαση μέσω μιας διεπαφής 3 συρμάτων που αποτελείται από τη σειριακή είσοδο (SI), τη σειριακή έξοδο (SO) και το σειριακό ρολόι
 

Χαρακτηριστικά:

Μονή τροφοδοσία 1,7V - 3,6V

Συμβατό με σειριακή περιφερειακή διεπαφή (SPI)Υποστηρίζει λειτουργίες SPI 0 και 3

Υποστηρίζει τη λειτουργία RapidS™

Δυνατότητα συνεχούς ανάγνωσης σε ολόκληρο τον πίνακα

Έως 85MHzΕπιλογή ανάγνωσης χαμηλής ισχύος έως 15MHz

Χρόνος από ρολόι σε έξοδο (tV) μέγιστο 8ns

Μέγεθος σελίδας με δυνατότητα διαμόρφωσης από τον χρήστη

256 byte ανά σελίδα

264 byte ανά σελίδα (προεπιλογή)

Το μέγεθος σελίδας μπορεί να προρυθμιστεί εργοστασιακά για 256 byte

Δύο πλήρως ανεξάρτητες buffer δεδομένων SRAM (256/264 byte)

Επιτρέπει τη λήψη δεδομένων κατά τον επαναπρογραμματισμό της κύριας συστοιχίας μνήμης

Ευέλικτες επιλογές προγραμματισμού

Byte/Page Program (1 έως 256/264 byte) απευθείας στην κύρια μνήμη

Buffer Write | Πρόγραμμα buffer στη σελίδα κύριας μνήμης

Ευέλικτες επιλογές διαγραφήςΔιαγραφή σελίδας (256/264 byte)

Διαγραφή αποκλεισμού (2KB)Διαγραφή τομέα (256KB)Διαγραφή chip (64-Mbit)

Πρόγραμμα και Διαγραφή Αναστολή/Συνέχιση

Προηγμένες δυνατότητες προστασίας δεδομένων υλικού και λογισμικού

Προστασία μεμονωμένου τομέαΚλείδωμα μεμονωμένου τομέα για να γίνει οποιοσδήποτε τομέας μόνιμα μόνο για ανάγνωση

Μητρώο ασφαλείας 128 byte, με δυνατότητα προγραμματισμού μίας χρήσης (OTP).

64 byte προγραμματισμένα εργοστασιακά με μοναδικό αναγνωριστικό

64 byte προγραμματιζόμενες από το χρήστηΕπιλογές επαναφοράς ελεγχόμενες από το υλικό και το λογισμικό

JEDEC Standard Κατασκευαστής και Αναγνωριστικό συσκευής

Διασκορπισμός χαμηλής ισχύος

400nA Ultra-Deep Power-Down ρεύμα (τυπικό)

Ρεύμα βαθιάς απενεργοποίησης 5µA (τυπικό)

Ρεύμα αναμονής 25µA (τυπικό)

Ενεργό ρεύμα ανάγνωσης 7 mA (τυπικό)

Αντοχή: τουλάχιστον 100.000 κύκλοι προγράμματος/διαγραφής ανά σελίδα

Διατήρηση δεδομένων: 20 χρόνια

Συμμορφώνεται με το πλήρες εύρος βιομηχανικών θερμοκρασιών

Επιλογές πράσινης συσκευασίας (χωρίς Pb/Halide/RoHS συμβατές).

SOIC 8 καλωδίων (πλάτος 0,208") Εξαιρετικά λεπτό DFN με 8 μπλοκ (5 x 6 x 0,6 mm)

8 μαξιλαράκια Πολύ λεπτό DFN (6 x 8 x 1,0 mm)

44-μπάλες dBGA (6 x 8 τροποποιημένη συστοιχία σφαιρών)

Ενσωματωμένο κύκλωμα Adesto Technologies NOR FLASH Memory Προδιαγραφές IC:

Παρόμοιος ΔΙΑΛΟΓΟΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ Ολοκληρωμένο κύκλωμα ICAdesto Technologies:

AT45DB641E,AT45DB641E-SHN2B-T,AT45DB641E-MHN2B-T,AT45DB641E-MWHN2B-T,AT45DB641E-UUN2B-T,AT45DB641E-45DB4, 1E-SHN-T,AT45DB641E-MHN-Y,AT45DB641E-MHN-T,AT45DB641E-MWHN-Y,AT45DB641E-MWHN-T,AT45DB641E-UUN-T,AT1E-DBF6, 45DB641E-SHN2B-B

Πιο δημοφιλέςΑριθμός εξαρτημάτων ολοκληρωμένου κυκλώματος IC: