M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Mémoire Circuits intégrés CI TSOP48 Composants électroniques

M29DW323DT70N6E Micron M29DW323 Circuits intégrés mémoire FLASH NOR IC TSOP48 Composants électroniques 

-M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) Mémoire Flash à alimentation 3V

Le M29DW323D est une mémoire non volatile de 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16) qui peut être lue, effacée et reprogrammée. Ces opérations peuvent être effectuées à l'aide d'une seule alimentation basse tension (2,7 à 3,6V). À la mise sous tension, la mémoire est par défaut en mode Lecture. Le dispositif présente une architecture de blocs asymétrique. Le M29DW323D possède un réseau de 8 blocs de paramètres et 63 blocs principaux et est divisé en deux banques, A et B, permettant des opérations Dual Bank. Pendant la programmation ou l'effacement dans la banque A, des opérations de lecture sont possibles dans la banque B et vice versa. Une seule banque à la fois est autorisée en mode programmation ou effacement.

Le M29DW323D possède un bloc supplémentaire de 32 KWord (mode x16) ou 64 KByte (mode x8), le bloc étendu, accessible via une commande dédiée. Le bloc étendu peut être protégé et est donc utile pour stocker des informations de sécurité.

Cependant, la protection est irréversible, une fois protégée, la protection ne peut pas être annulée.

Chaque bloc peut être effacé indépendamment, il est donc possible de préserver les données valides pendant que les anciennes données sont effacées.

Les blocs peuvent être protégés pour empêcher les commandes de programmation ou d'effacement accidentelles de modifier la mémoire.

Les commandes de programmation et d'effacement sont écrites dans l'interface de commande de la mémoire.

Un contrôleur de programmation/effacement sur puce simplifie le processus de programmation ou d'effacement de la mémoire en prenant en charge toutes les opérations spéciales requises pour mettre à jour le contenu de la mémoire.

La fin d'une opération de programmation ou d'effacement peut être détectée et toute condition d'erreur identifiée.

L'ensemble de commandes requis pour contrôler la mémoire est conforme aux normes JEDEC.

Les signaux Chip Enable, Output Enable et Write Enable contrôlent l'opération du bus de la mémoire.

Ils permettent une connexion simple à la plupart des microprocesseurs, souvent sans logique supplémentaire.

La mémoire est proposée dans des boîtiers TSOP48 (12x20mm) et TFBGA48 (6x8mm, pas de 0,8mm).

RÉSUMÉ DES CARACTÉRISTIQUES :

TENSION D'ALIMENTATION
– VCC = 2,7V à 3,6V pour la programmation, l'effacement et la lecture
– VPP = 12V pour la programmation rapide (facultatif)

„ TEMPS D'ACCÈS : 70ns

„ TEMPS DE PROGRAMMATION
– 10µs par octet/mot typique
– Programmation double mot/quadruple octet

„ BLOCS MÉMOIRE
– Tableau mémoire Dual Bank : 8Mbit+24Mbit
– Blocs de paramètres (emplacement supérieur ou inférieur)

„ OPÉRATIONS DUALES
– Lecture dans une banque pendant la programmation ou l'effacement dans l'autre

„ MODES ERREUR SUSPENDRE ET REPRENDRE
– Lire et programmer un autre bloc pendant la suspension de l'effacement

„ COMMANDE DE PROGRAMMATION UNLOCK BYPASS
– Programmation de production/par lots plus rapide

„ BROCHE VPP/WP POUR PROGRAMMATION RAPIDE ET PROTECTION EN ÉCRITURE

„ MODE DE DÉPROTECTION TEMPORAIRE DE BLOC

„ INTERFACE FLASH COMMUNE – Code de sécurité 64 bits

„ BLOC MÉMOIRE ÉTENDU
– Bloc supplémentaire utilisé comme bloc de sécurité ou pour stocker des informations supplémentaires

„ FAIBLE CONSOMMATION D'ÉNERGIE – Veille et veille automatique

„ 100 000 CYCLES PROGRAMMATION/EFFACEMENT par BLOC

„ SIGNATURE ÉLECTRONIQUE
– Code fabricant : 0020h
– Code de périphérique supérieur M29DW323DT : 225Eh
– Code de périphérique inférieur M29DW323DB : 225Fh

Spécification IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP-M29DW323DT70N6E :

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Informations de commande :

À propos de Micron Technology

Micron crée des solutions de mémoire et de stockage innovantes qui contribuent à stimuler les avancées technologiques les plus importantes et les plus disruptives d'aujourd'hui, telles que l'intelligence artificielle, l'Internet des objets, les voitures autonomes, la médecine personnalisée, voire l'exploration spatiale.En pionnier de moyens plus rapides et plus efficaces de collecter, stocker et gérer les données, ils contribuent à révolutionner et à améliorer la façon dont le monde communique, apprend et progresse.

Catégories de produits Micron Technology :

Circuits intégrés (CI)

Cartes mémoire, modules

Optoélectronique

Image à titre de référence :

Classifications environnementales et d'exportation

Numéro de pièce de circuits intégrés substituts :
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
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