M29DW323 M29DW323DT70N6 마이크론 플래시 또는 메모리 통합 회로 IC TSOP48 전자 부품
마이크로 플래시 또는 메모리 IC
,M29DW323 메모리 통합 회로
,TSOP48 NOR 플래시 IC
M29DW323DT70N6E Micron M29DW323 FLASH NOR 메모리 집적 회로 IC TSOP48 전자 부품
-M29DW323DT M29DW323DB 32Mbit (4Mb x8 또는 2Mb x16, 듀얼 뱅크 8:24, 부트 블록) 3V 공급 플래시 메모리
M29DW323D는 읽기, 지우기 및 재프로그래밍이 가능한 32Mbit (4Mb x8 또는 2Mb x16) 비휘발성 메모리입니다. 이러한 작업은 단일 저전압 (2.7 ~ 3.6V) 공급을 사용하여 수행할 수 있습니다. 전원 켜기 시 메모리는 기본적으로 읽기 모드로 설정됩니다. 이 장치는 비대칭 블록 아키텍처를 특징으로 합니다. M29DW323D는 8개의 파라미터 블록과 63개의 메인 블록으로 구성되어 있으며, 듀얼 뱅크 작업을 제공하는 두 개의 뱅크 A와 B로 나뉩니다. 뱅크 A에서 프로그래밍 또는 지우는 동안 뱅크 B에서 읽기 작업이 가능하며 그 반대도 마찬가지입니다. 한 번에 하나의 뱅크만 프로그래밍 또는 지우기 모드로 설정할 수 있습니다.
M29DW323D에는 전용 명령을 사용하여 액세스할 수 있는 추가 32 KWord (x16 모드) 또는 64 KByte (x8 모드) 블록인 확장 블록이 있습니다. 확장 블록은 보호될 수 있으므로 보안 정보 저장에 유용합니다.
그러나 보호는 되돌릴 수 없습니다. 일단 보호되면 보호를 해제할 수 없습니다.
각 블록은 독립적으로 지울 수 있으므로 오래된 데이터를 지우는 동안 유효한 데이터를 보존할 수 있습니다.
블록은 실수로 인한 프로그래밍 또는 지우기 명령이 메모리를 수정하는 것을 방지하기 위해 보호될 수 있습니다.
프로그래밍 및 지우기 명령은 메모리의 명령 인터페이스에 기록됩니다.
온칩 프로그래밍/지우기 컨트롤러는 메모리 내용을 업데이트하는 데 필요한 모든 특수 작업을 처리하여 프로그래밍 또는 지우기 프로세스를 단순화합니다.
프로그래밍 또는 지우기 작업의 완료를 감지하고 오류 조건을 식별할 수 있습니다.
메모리를 제어하는 데 필요한 명령 세트는 JEDEC 표준과 일치합니다.
칩 활성화, 출력 활성화 및 쓰기 활성화 신호는 메모리의 버스 작업을 제어합니다.
이를 통해 대부분의 마이크로프로세서에 추가 로직 없이 간단하게 연결할 수 있습니다.
이 메모리는 TSOP48 (12x20mm) 및 TFBGA48 (6x8mm, 0.8mm 피치) 패키지로 제공됩니다.
기능 요약:
공급 전압
– 프로그래밍, 지우기 및 읽기를 위한 VCC = 2.7V ~ 3.6V
– 빠른 프로그래밍을 위한 VPP = 12V (선택 사항)
액세스 시간: 70ns
프로그래밍 시간
– 바이트/워드당 일반 10µs
– 더블 워드/쿼드러플 바이트 프로그래밍
메모리 블록
– 듀얼 뱅크 메모리 배열: 8Mbit+24Mbit
– 파라미터 블록 (상단 또는 하단 위치)
듀얼 작업
– 다른 뱅크에서 프로그래밍 또는 지우기 중 한 뱅크에서 읽기
지우기 일시 중지 및 재개 모드
– 지우기 일시 중지 중 다른 블록 읽기 및 프로그래밍
잠금 해제 바이패스 프로그래밍 명령
– 더 빠른 생산/배치 프로그래밍
빠른 프로그래밍 및 쓰기 보호를 위한 VPP/WP 핀
임시 블록 보호 해제 모드
일반 플래시 인터페이스 – 64비트 보안 코드
확장 메모리 블록
– 보안 블록으로 사용되거나 추가 정보를 저장하는 데 사용되는 추가 블록
저전력 소비 – 대기 및 자동 대기
블록당 100,000 프로그래밍/지우기 주기
전자 서명
– 제조업체 코드: 0020h
– 상단 장치 코드 M29DW323DT: 225Eh
– 하단 장치 코드 M29DW323DB: 225Fh
IC FLASH 32MBIT 병렬 48TSOP-M29DW323DT70N6E 사양:
| 카테고리 | 전자 부품 |
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하위 카테고리
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집적 회로 (IC)
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시리즈
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메모리
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제조사
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Micron Technology Inc.
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패키지
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트레이
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부품 상태
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단종
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메모리 유형
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비휘발성
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메모리 형식
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FLASH
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기술
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FLASH - NOR
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메모리 크기
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32Mb (4M x 8, 2M x 16)
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메모리 인터페이스
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병렬
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쓰기 사이클 시간 - 워드, 페이지
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70ns
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액세스 시간
|
70 ns
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전압 - 공급
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2.7V ~ 3.6V
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작동 온도
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-40°C ~ 85°C (TA)
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장착 유형
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표면 실장
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패키지 / 케이스
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48-TFSOP (0.724", 18.40mm 폭)
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공급업체 장치 패키지
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48-TSOP
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기본 제품 번호
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M29DW323
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관련 제품 번호:
| 제조사 부품 번호 | 기술 | 메모리 크기 | 장치 패키지 |
| M29DW323DB70N6F TR | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DT70N6F TR | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB5AN6F TR | FLASH - NOR | 256Mb (16M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N3E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70ZE6E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DB70ZE6F TR | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DB7AN6F TR | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DT70ZE6F TR | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DT70ZE6E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DT70N6E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6 | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
주문 정보:
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Micron Technology 소개
Micron은 인공 지능, 사물 인터넷, 자율 주행 자동차, 개인 맞춤 의학, 심지어 우주 탐사와 같은 오늘날 가장 중요하고 혁신적인 기술 발전을 주도하는 혁신적인 메모리 및 스토리지 솔루션을 만듭니다.더 빠르고 효율적인 데이터 수집, 저장 및 관리 방법을 개척함으로써, 그들은 세상이 소통하고, 배우고, 발전하는 방식을 혁신하고 개선하는 데 도움을 주고 있습니다.
Micron Technology 제품 카테고리:
집적 회로 (IC)
메모리 카드, 모듈
광전자 공학
참고 이미지:
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환경 및 수출 분류
| 속성 | 설명 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 습도 민감도 레벨 (MSL) | 3 (168시간) |
| REACH 상태 | REACH 영향 없음 |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
대체 집적 회로 IC 부품 번호:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
우리는 업계에서 가장 광범위한 메모리 및 스토리지 기술 포트폴리오인 DRAM, NAND 및 NOR 메모리 IC를 판매합니다. 긴밀한 산업 파트너십과 메모리 솔루션 전문성을 통해 당사의 고유한 통찰력은 가장 어려운 요구 사항을 해결할 수 있는 능력을 제공합니다.
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| MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
| MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
| MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
| MT28EW128ABA1LPN-0SIT |
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