M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Memoria Circuiti integrati IC TSOP48 Componenti elettronici

M29DW323DT70N6E Micron M29DW323 Circuiti integrati di memoria FLASH NOR IC TSOP48 Componenti elettronici 

-M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 o 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) Memoria Flash con alimentazione a 3V

Il M29DW323D è una memoria non volatile da 32 Mbit (4Mb x8 o 2Mb x16) che può essere letta, cancellata e riprogrammata. Queste operazioni possono essere eseguite utilizzando una singola alimentazione a bassa tensione (da 2,7 a 3,6 V). All'accensione, la memoria passa per impostazione predefinita alla modalità di lettura. Il dispositivo presenta un'architettura a blocchi asimmetrica. Il M29DW323D ha un array di 8 blocchi parametro e 63 blocchi principali ed è diviso in due banchi, A e B, che forniscono operazioni Dual Bank. Durante la programmazione o la cancellazione nel Banco A, le operazioni di lettura sono possibili nel Banco B e viceversa. Solo un banco alla volta può essere in modalità di programmazione o cancellazione.

Il M29DW323D ha un blocco aggiuntivo da 32 KWord (modalità x16) o 64 KByte (modalità x8), il Blocco Esteso, a cui si può accedere tramite un comando dedicato. Il Blocco Esteso può essere protetto ed è quindi utile per memorizzare informazioni di sicurezza.

Tuttavia, la protezione è irreversibile, una volta protetta la protezione non può essere annullata

. Ogni blocco può essere cancellato indipendentemente, quindi è possibile preservare i dati validi mentre i vecchi dati vengono cancellati.

I blocchi possono essere protetti per impedire che comandi di programmazione o cancellazione accidentali modifichino la memoria.

I comandi di programmazione e cancellazione vengono scritti nell'interfaccia comandi della memoria.

Un controller di programmazione/cancellazione on-chip semplifica il processo di programmazione o cancellazione della memoria occupandosi di tutte le operazioni speciali richieste per aggiornare il contenuto della memoria.

La fine di un'operazione di programmazione o cancellazione può essere rilevata e qualsiasi condizione di errore identificata.

Il set di comandi richiesto per controllare la memoria è coerente con gli standard JEDEC.

I segnali Chip Enable, Output Enable e Write Enable controllano l'operazione del bus della memoria.

Consentono un semplice collegamento alla maggior parte dei microprocessori, spesso senza logica aggiuntiva.

La memoria è offerta nei package TSOP48 (12x20mm) e TFBGA48 (6x8mm, passo 0,8mm).

RIEPILOGO CARATTERISTICHE:

TENSIONE DI ALIMENTAZIONE
– VCC = da 2,7 V a 3,6 V per Programmazione, Cancellazione e Lettura
– VPP = 12 V per Programmazione Veloce (opzionale)

„ TEMPO DI ACCESSO: 70 ns

„ TEMPO DI PROGRAMMAZIONE
– 10 µs per Byte/Word tipico
– Programmazione Double Word/Quadruple Byte

„ BLOCCHI DI MEMORIA
– Array di memoria Dual Bank: 8 Mbit+24 Mbit
– Blocchi Parametro (Posizione Superiore o Inferiore)

„ OPERAZIONI DUALI
– Lettura in un banco mentre Programmazione o Cancellazione nell'altro

„ MODALITÀ ERASE SUSPEND e RESUME
– Lettura e Programmazione di un altro Blocco durante Erase Suspend

„ COMANDO DI PROGRAMMAZIONE UNLOCK BYPASS
– Programmazione di produzione/batch più veloce

„ PIN VPP/WP per PROGRAMMAZIONE VELOCE e PROTEZIONE SCRITTURA

„ MODALITÀ DI SBLOCCO TEMPORANEO DEL BLOCCO

„ INTERFACCIA FLASH COMUNE – Codice di sicurezza a 64 bit

„ BLOCCO DI MEMORIA ESTESO
– Blocco extra utilizzato come blocco di sicurezza o per memorizzare informazioni aggiuntive

„ BASSO CONSUMO ENERGETICO – Standby e Standby Automatico

„ 100.000 CICLI PROGRAMMAZIONE/CANCELLAZIONE per BLOCCO

„ FIRMA ELETTRONICA
– Codice Produttore: 0020h
– Codice Dispositivo Superiore M29DW323DT: 225Eh
– Codice Dispositivo Inferiore M29DW323DB: 225Fh

IC FLASH 32MBIT PARALLELO 48TSOP-M29DW323DT70N6E Specifiche:

Numeri di prodotto correlati:

Informazioni sull'ordinazione:

Informazioni su Micron Technology

Micron crea soluzioni innovative di memoria e archiviazione che stanno contribuendo a guidare le più importanti e dirompenti innovazioni tecnologiche di oggi, come l'intelligenza artificiale, l'Internet delle cose, le auto a guida autonoma, la medicina personalizzata e persino l'esplorazione spaziale.Pionierando modi più veloci ed efficienti per raccogliere, archiviare e gestire i dati, stanno contribuendo a rivoluzionare e migliorare il modo in cui il mondo comunica, impara e progredisce.

Categorie di prodotti Micron Technology:

Circuiti Integrati (IC)

Schede di memoria, Moduli

Optoelettronica

Immagine per riferimento:

Classificazioni ambientali ed esportazione

Sostituisce i circuiti integrati IC numero di parte:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
Vendiamo il portafoglio più ampio del settore di tecnologie di memoria e archiviazione: DRAM, NAND e memoria NOR IC. Con partnership industriali strette e competenza nelle soluzioni di memoria, la nostra visione unica ci dà la capacità di affrontare le vostre esigenze più impegnative.
 
Catalogo parti correlate di circuiti integrati Parallel NOR Flash: