M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Memória Integrada Circuitos IC TSOP48 Componentes Eletrônicos

M29DW323DT70N6E Micron M29DW323 Circuitos Integrados de Memória FLASH NOR IC TSOP48 Componentes Eletrônicos 

-M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) Memória Flash com Alimentação de 3V

O M29DW323D é uma memória não volátil de 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16) que pode ser lida, apagada e reprogramada. Essas operações podem ser realizadas usando uma única fonte de baixa tensão (2,7 a 3,6V). Ao ligar, a memória entra no modo de Leitura por padrão. O dispositivo possui uma arquitetura de blocos assimétrica. O M29DW323D tem um array de 8 blocos de parâmetros e 63 blocos principais e é dividido em dois Bancos, A e B, permitindo operações Dual Bank. Enquanto programa ou apaga no Banco A, operações de leitura são possíveis no Banco B e vice-versa. Apenas um banco por vez pode estar em modo de programação ou apagamento.

O M29DW323D possui um bloco extra de 32 KWord (modo x16) ou 64 KByte (modo x8), o Bloco Estendido, que pode ser acessado usando um comando dedicado. O Bloco Estendido pode ser protegido e, portanto, é útil para armazenar informações de segurança.

No entanto, a proteção é irreversível, uma vez protegida, a proteção não pode ser desfeita

. Cada bloco pode ser apagado independentemente, de modo que é possível preservar dados válidos enquanto dados antigos são apagados.

Os blocos podem ser protegidos para evitar que comandos acidentais de Programação ou Apagamento modifiquem a memória.

Os comandos de Programação e Apagamento são escritos na Interface de Comando da memória.

Um Controlador de Programação/Apagamento on-chip simplifica o processo de programação ou apagamento da memória, cuidando de todas as operações especiais necessárias para atualizar o conteúdo da memória.

O fim de uma operação de programação ou apagamento pode ser detectado e quaisquer condições de erro identificadas.

O conjunto de comandos necessário para controlar a memória é consistente com os padrões JEDEC.

Os sinais Chip Enable, Output Enable e Write Enable controlam a operação do barramento da memória.

Eles permitem uma conexão simples com a maioria dos microprocessadores, muitas vezes sem lógica adicional.

A memória é oferecida em pacotes TSOP48 (12x20mm) e TFBGA48 (6x8mm, passo de 0,8mm).

RESUMO DAS CARACTERÍSTICAS:

TENÇÃO DE ALIMENTAÇÃO
– VCC = 2,7V a 3,6V para Programação, Apagamento e Leitura
– VPP = 12V para Programação Rápida (opcional)

„ TEMPO DE ACESSO: 70ns

„ TEMPO DE PROGRAMAÇÃO
– 10µs por Byte/Palavra típico
– Programação de Palavra Dupla/Byte Quádruplo

„ BLOCOS DE MEMÓRIA
– Array de Memória Dual Bank: 8Mbit+24Mbit
– Blocos de Parâmetros (Localização Superior ou Inferior)

„ OPERAÇÕES DUPLAS
– Leitura em um banco enquanto Programação ou Apagamento em outro

„ MODOS DE SUSPENSÃO E RETOMADA DE APAGAMENTO
– Leitura e Programação de outro Bloco durante Suspensão de Apagamento

„ COMANDO DE PROGRAMAÇÃO DE DESVIO DE DESBLOQUEIO
– Programação de Produção/Lote Mais Rápida

„ PIN VPP/WP PARA PROGRAMAÇÃO RÁPIDA E PROTEÇÃO DE ESCRITA

„ MODO DE DESPROTEÇÃO TEMPORÁRIA DE BLOCO

„ INTERFACE FLASH COMUM – Código de Segurança de 64 bits

„ BLOCO DE MEMÓRIA ESTENDIDO
– Bloco extra usado como bloco de segurança ou para armazenar informações adicionais

„ BAIXO CONSUMO DE ENERGIA – Standby e Standby Automático

„ 100.000 CICLOS DE PROGRAMAÇÃO/APAGAMENTO por BLOCO

„ ASSINATURA ELETRÔNICA
– Código do Fabricante: 0020h
– Código do Dispositivo Superior M29DW323DT: 225Eh
– Código do Dispositivo Inferior M29DW323DB:225Fh

Especificação do IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP-M29DW323DT70N6E:

Números de produto relacionados:

Informações de Pedido:

Sobre a Micron Technology

A Micron cria soluções inovadoras de memória e armazenamento que estão impulsionando os avanços tecnológicos mais significativos e disruptivos da atualidade, como inteligência artificial, Internet das Coisas, carros autônomos, medicina personalizada – até mesmo exploração espacial. Ao inovar maneiras mais rápidas e eficientes de coletar, armazenar e gerenciar dados, eles estão ajudando a revolucionar e melhorar a forma como o mundo se comunica, aprende e avança.

Categorias de Produtos da Micron Technology:

Circuitos Integrados (CIs)

Cartões de Memória, Módulos

Optoeletrônicos

Imagem para referência:

Classificações Ambientais e de Exportação

Substitui números de peça de circuito integrado IC:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
Vendemos o portfólio mais amplo da indústria de tecnologias de memória e armazenamento: DRAM, NAND e memória NOR ic. Com parcerias industriais sólidas e expertise em soluções de memória, nosso conhecimento único nos dá a capacidade de atender às suas necessidades mais desafiadoras.
 
Catálogo de Peças de Circuito Integrado Relacionado de Memória Flash NOR Paralela: