M29DW323 M29DW323DT70N6 マイクロンFLASH NO メモリ 統合回路 IC TSOP48 電子部品
マイクロンフラッシュ またはメモリIC
,M29DW323 メモリー統合回路
,TSOP48 NOR フラッシュIC
M29DW323DT70N6E マイクロンM29DW323 FLASH NORメモリ 集積回路 IC TSOP48 電子部品
-M29DW323DT M29DW323DB 32Mビット (4Mb x8 または 2Mb x16、デュアルバンク 8:24、ブートブロック) 3V電源 フラッシュメモリ
M29DW323Dは、読み取り、消去、再プログラムが可能な32Mビット（4Mb x8 または 2Mb x16）不揮発性メモリです。これらの操作は、単一の低電圧（2.7～3.6V）電源を使用して実行できます。電源投入時、メモリはデフォルトで読み取りモードになります。このデバイスは非対称ブロックアーキテクチャを備えています。M29DW323Dは、8つのパラメータブロックと63のメインブロックのアレイを持ち、2つのバンク（AおよびB）に分割されており、デュアルバンク操作を提供します。バンクAでのプログラミングまたは消去中に、バンクBでの読み取り操作が可能であり、その逆も同様です。一度に1つのバンクのみがプログラムまたは消去モードになることが許可されます。
M29DW323Dには、専用コマンドを使用してアクセスできる追加の32Kワード（x16モード）または64Kバイト（x8モード）ブロックである拡張ブロックがあります。拡張ブロックは保護できるため、セキュリティ情報の保存に役立ちます。
ただし、保護は不可逆的であり、一度保護されると元に戻すことはできません。
各ブロックは独立して消去できるため、古いデータを消去しながら有効なデータを保持することが可能です。
ブロックは、偶発的なプログラムまたは消去コマンドによるメモリの変更を防ぐために保護できます。
プログラムおよび消去コマンドは、メモリのコマンドインターフェイスに書き込まれます。
オンチップのプログラム/消去コントローラーは、メモリの内容を更新するために必要なすべての特殊操作を処理することで、メモリのプログラミングまたは消去プロセスを簡素化します。
プログラムまたは消去操作の終了を検出し、エラー条件を特定できます。
メモリを制御するために必要なコマンドセットは、JEDEC規格と互換性があります。
チップイネーブル、アウトプットイネーブル、ライトイネーブル信号がメモリのバス操作を制御します。
これにより、ほとんどのマイクロプロセッサに、追加のロジックなしで簡単に接続できます。
メモリは、TSOP48（12x20mm）およびTFBGA48（6x8mm、0.8mmピッチ）パッケージで提供されます。
機能概要:
電源電圧
– VCC = プログラム、消去、読み取り用 2.7V～3.6V
– VPP = 高速プログラム用 12V（オプション）
アクセス時間: 70ns
プログラム時間
– バイト/ワードあたり典型値 10μs
– ダブルワード/クアドルプルバイトプログラム
メモリブロック
– デュアルバンクメモリ配列: 8Mbit+24Mbit
– パラメータブロック（トップまたはボトム配置）
デュアル操作
– 一方のバンクでプログラムまたは消去中に他方のバンクで読み取り
消去サスペンドおよびレジュームモード
– 消去サスペンド中に別のブロックの読み取りおよびプログラム
アンロックバイパスプログラムコマンド
– 高速生産/バッチプログラミング
高速プログラムおよび書き込み保護用のVPP/WPピン
一時的なブロック保護解除モード
コモンフラッシュインターフェイス – 64ビットセキュリティコード
拡張メモリブロック
– セキュリティブロックまたは追加情報の保存に使用される追加ブロック
低消費電力 – スタンバイおよび自動スタンバイ
ブロックあたり100,000回のプログラム/消去サイクル
電子署名
– メーカーコード: 0020h
– トップデバイスコード M29DW323DT: 225Eh
– ボトムデバイスコード M29DW323DB: 225Fh
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP-M29DW323DT70N6E 仕様:
| カテゴリ | 電子部品 |
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サブカテゴリ
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集積回路（IC）
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シリーズ
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メモリ
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メーカー
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Micron Technology Inc.
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パッケージ
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トレイ
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部品ステータス
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生産中止
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メモリタイプ
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不揮発性
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メモリフォーマット
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フラッシュ
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テクノロジー
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フラッシュ - NOR
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メモリサイズ
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32Mb（4M x 8、2M x 16）
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メモリインターフェイス
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パラレル
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書き込みサイクルタイム - ワード、ページ
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70ns
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アクセス時間
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70 ns
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電圧 - 電源
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2.7V～3.6V
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動作温度
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-40℃～85℃（TA）
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実装タイプ
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表面実装
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パッケージ/ケース
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48-TFSOP（0.724インチ、幅18.40mm）
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サプライヤーデバイスパッケージ
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48-TSOP
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ベース製品番号
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M29DW323
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関連製品番号:
| メーカー部品番号 | テクノロジー | メモリサイズ | デバイスパッケージ |
| M29DW323DB70N6F TR | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DT70N6F TR | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB5AN6F TR | フラッシュ - NOR | 256Mb（16M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N3E | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6E | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB70ZE6E | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TFBGA（6x8） |
| M29DW323DB70ZE6F TR | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TFBGA（6x8） |
| M29DW323DB7AN6F TR | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DT70ZE6F TR | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TFBGA（6x8） |
| M29DW323DT70ZE6E | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TFBGA（6x8） |
| M29DW323DT70N6E | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6E | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6 | フラッシュ - NOR | 32Mb（4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
注文情報:
Micron Technologyについて
Micronは、人工知能、モノのインターネット、自動運転車、個別化医療、さらには宇宙探査など、今日の最も重要で破壊的な技術革新を推進する革新的なメモリおよびストレージソリューションを提供しています。より高速で効率的なデータの収集、保存、管理方法を開拓することで、世界のコミュニケーション、学習、進歩の方法に革命を起こし、改善するのに役立っています。
Micron Technology 製品カテゴリ:
集積回路（IC）
メモリカード、モジュール
オプトエレクトロニクス
参考画像:
環境および輸出分類
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHSステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 3（168時間） |
| REACHステータス | REACH非該当 |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
代替集積回路 IC部品番号:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
当社は、DRAM、NAND、NORメモリICなど、業界で最も幅広いメモリおよびストレージテクノロジーのポートフォリオを販売しています。業界との緊密なパートナーシップとメモリソリューションの専門知識により、独自の洞察力で最も困難なニーズに対応できます。
関連パラレルNORフラッシュ集積回路部品カタログ:
| MT28EW128ABA1HJS-0SIT |
| MT28EW128ABA1HPC-0SIT |
| MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
| MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
| MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
| MT28EW128ABA1LPN-0SIT |
