Hogar > productos > Circuitos integrados > M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Memoria Circuitos integrados IC TSOP48 Componentes electrónicos

M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Memoria Circuitos integrados IC TSOP48 Componentes electrónicos

Category:
Circuitos integrados
In-stock:
en stock
Price:
Negotiated
Payment Method:
T/T, Unión Occidental
Specifications
categoría:
Circuitos Componente-integrados electrónicos (IC)
Serie:
FLASH NOR Memoria Circuitos integrados IC
Detalles:
Circuito integrado de memoria NOR de 32 Mb (4 M x 8, 2 M x 16) Paralelo 70 ns 48-TSOP Flash ic
Tipo de montaje:
Montaje de superficie
Descripción:
IC FLASH 32MBIT PARALELO 48TSOP-M29DW323DT70N6E
Paquete:
TSOP48
Número de parte bajo:
M29DW
Frecuencia:
Transferencia 200kHz ~ 2.2MHz
Rango de temperatura ambiente de funcionamiento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Adicional:
CHIPS IC de memoria de montaje en superficie
Tipo:
Interfaz de memoria paralela
Substitutos:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
Resaltar:

Micron FLASH NOR Memoria IC

,

Circuito integrado de memoria M29DW323

,

TSOP48 NOR Flash IC

Introducción

M29DW323DT70N6E MicrónM29DW323Círcuitos integrados IC TSOP48 Componentes electrónicos

- M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 o 2Mb x16, Banco doble 8:24, Bloque de arranque) 3V de suministro de memoria flash

 

El M29DW323D es una memoria no volátil de 32 Mbit (4Mb x8 o 2Mb x16) que se puede leer, borrar y reprogramar.Cuando se enciende la memoria se vuelve al modo de lectura.El M29DW323D tiene una matriz de 8 parámetros y 63 bloques principales y está dividido en dos bancos, A y B, proporcionando operaciones de doble banco.Mientras se programa o borra en el Banco A, las operaciones de lectura son posibles en el Banco B y viceversa. Sólo se permite que un banco a la vez esté en el modo de programa o borrado.

M29DW323D tiene un bloque adicional de 32 KWord (modo x16) o 64 KByte (modo x8), el Bloque Extendido, al que se puede acceder utilizando un comando dedicado.El bloque extendido puede ser protegido y así es útil para almacenar información de seguridad.

Sin embargo, la protección es irreversible, una vez protegida, la protección no puede deshacerse.

Cada bloque puede borrarse de forma independiente, por lo que es posible preservar los datos válidos mientras se borran los datos antiguos.

Los bloques pueden ser protegidos para evitar que los comandos accidental Programa o Borrar de modificar la memoria.

Los comandos de programa y borrado se escriben en la interfaz de comandos de la memoria.

Un controlador de programación / borrado en el chip simplifica el proceso de programación o borrado de la memoria al hacerse cargo de todas las operaciones especiales que se requieren para actualizar el contenido de la memoria.

Se puede detectar el final de un programa o la operación de borrado e identificar cualquier condición de error.

El conjunto de comandos requerido para controlar la memoria es consistente con los estándares JEDEC.

Las señales Chip Enable, Output Enable y Write Enable controlan el funcionamiento del bus de la memoria.

Permiten una conexión simple a la mayoría de los microprocesadores, a menudo sin lógica adicional.

La memoria se ofrece en los paquetes TSOP48 (12x20mm) y TFBGA48 (6x8mm, 0,8mm de tono).

 

Resumen de las características:

VOLTAJE de alimentación
VCC = 2.7V a 3.6V para programación, borrado y lectura
VPP = 12V para el programa rápido (opcional)


„ TIEMPO DE ACCESO: 70 segundos


„ Tiempo de programación
10μs por byte/Word típico
Programa de doble palabra / cuádruple byte


„ BLOCOS de memoria
¢ Array de memoria de banco doble: 8Mbit + 24Mbit
Bloques de parámetros (ubicación superior o inferior)


„ OPERACIONES DUALES
¢ Leer en un banco mientras que Programar o Borrar en otro


„ Modo de borrado, de suspensión y de reanudación
Leer y programar otro bloque durante el borrador Suspender


„ Desbloquear el comando del programa de bypass
¢ Producción más rápida/programación por lotes


„ VPP/WP PIN para el programa rápido y el sistema de protección de escritura


„ Modo de desprotección del bloque temporal


„ COMMON FLASH INTERFACE" Código de seguridad de 64 bits


„ Bloque de memoria extendida
Bloque adicional utilizado como bloque de seguridad o para almacenar información adicional


„ BAJO CONSUMO DE PODER “ En espera y en espera automática


„ 100 000 ciclos de programación/borrado por bloque


„ Firma electrónica
️ Código del fabricante: 0020h
El código del dispositivo superior M29DW323DT: 225Eh
El código del dispositivo inferior M29DW323DB:225Fh

 

Las especificaciones de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades

Catetería Componentes electrónicos
Subcategoría
Circuitos integrados (CI)
Serie
Memoria
El Sr.
Tecnología Micron Inc.
Paquete
Envases
Estado de las partes
No está disponible
Tipo de memoria
No volátiles
Formato de memoria
El flash.
Tecnología
FLASH - Ni siquiera
Tamaño de la memoria
32 Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfaz de memoria
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página
70 años
Tiempo de acceso
70 ns
Voltagem - Suministro
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje
Montura de la superficie
Envase / estuche
48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Paquete de dispositivos del proveedor
48-TSOP
Número del producto de base
M29DW323

 

Números de productos relacionados:

El Sr. Parte # Tecnología Tamaño de la memoria Paquete del dispositivo
M29DW323DB70N6F TR FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DT70N6F TR FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB5AN6F TR FLASH - Ni siquiera 256 MB (16M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N3E FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6E FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70ZE6E FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) Las partidas de los componentes de las máquinas de la serie 4 se aplicarán a las partidas de las máquinas de la serie 4 de la serie 4 de la serie 4 de la serie 4.
M29DW323DB70ZE6F TR FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) Las partidas de los componentes de las máquinas de la serie 4 se aplicarán a las partidas de las máquinas de la serie 4 de la serie 4 de la serie 4 de la serie 4.
M29DW323DB7AN6F TR FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DT70ZE6F TR FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) Las partidas de los componentes de las máquinas de la serie 4 se aplicarán a las partidas de las máquinas de la serie 4 de la serie 4 de la serie 4 de la serie 4.
M29DW323DT70ZE6E FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) Las partidas de los componentes de las máquinas de la serie 4 se aplicarán a las partidas de las máquinas de la serie 4 de la serie 4 de la serie 4 de la serie 4.
M29DW323DT70N6E FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6E FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6 FLASH - Ni siquiera 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP

 

Información sobre los pedidos:


 M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Memoria Circuitos integrados IC TSOP48 Componentes electrónicos 0

Sobre la tecnología Micron

Micron fabrica soluciones innovadoras de memoria y almacenamiento que están ayudando a impulsar los avances tecnológicos más significativos y disruptivos de la actualidad, como la inteligencia artificial,el Internet de las Cosas, autos sin conductor, medicina personalizada e incluso la exploración espacial.Al ser pioneros en formas más rápidas y eficientes de recopilar, almacenar y gestionar datos, están ayudando a revolucionar y mejorar la forma en que el mundo se comunica, aprende y avanza.

 

Categorías de productos de la tecnología Micron:

 

Circuitos integrados (CI)

Tarjetas de memoria y módulos

Optoelectrónica

 

Imagen para referencia:

M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Memoria Circuitos integrados IC TSOP48 Componentes electrónicos 1M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Memoria Circuitos integrados IC TSOP48 Componentes electrónicos 2M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Memoria Circuitos integrados IC TSOP48 Componentes electrónicos 3

 


Clasificaciones medioambientales y de exportación

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

 


Se sustituyen los circuitos integrados IC número de pieza:
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.
Vendemos la más amplia cartera de tecnologías de memoria y almacenamiento de la industria: DRAM, NAND y NOR. Con estrechas asociaciones industriales y experiencia en soluciones de memoria,Nuestra visión única nos da la capacidad de abordar sus necesidades más desafiantes.
 
Circuito integrado paralelo o flash relacionado Catálogo de partes:

MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A
MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A
MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A
MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A
MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A
MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A

 
M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Memoria Circuitos integrados IC TSOP48 Componentes electrónicos 4
 

 

Send RFQ
Stock:
In Stock
MOQ:
1pieces