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M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Speicher Integrierte Schaltkreise IC TSOP48 Elektronische Komponenten

Category:
Integrierte Schaltungen
In-stock:
auf Lager
Price:
Negotiated
Payment Method:
T/T, Western Union
Specifications
Kategorie:
Elektronische Komponente-integrierte Stromkreise (IC)
Serie:
FLASH NOR Speicher Integrierte Schaltkreise IC
Details:
NOR-Speicher-IC 32 MB (4 MB x 8, 2 MB x 16), parallel, 70 ns, 48-TSOP-Flash-IC
Montageart:
Oberflächenmontage
Beschreibung:
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP-M29DW323DT70N6E
Paket:
TSOP48
Niedrige Teilnummer:
M29DW
Frequenz:
Schaltung 200kHz | 2.2MHz
Betriebsumgebungstemperaturbereich:
-40°C ~ 85°C (TA)
Zusätzlich:
Speicher-IC-Chips zur Oberflächenmontage
Typ:
Speicherschnittstelle parallel
Ersatz:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
Hervorheben:

Micron FLASH NOR Speicher IC

,

M29DW323 Speicher-IC

,

TSOP48 NOR Flash IC

Einleitung

M29DW323DT70N6E Micron M29DW323 FLASH NOR Speicher-ICs TSOP48 Elektronische Komponenten 

-M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 oder 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) 3V Flash-Speicher

 

Der M29DW323D ist ein nichtflüchtiger 32-Mbit-Speicher (4Mb x8 oder 2Mb x16), der gelesen, gelöscht und neu programmiert werden kann. Diese Vorgänge können mit einer einzigen Niederspannungsversorgung (2,7 bis 3,6 V) durchgeführt werden. Beim Einschalten befindet sich der Speicher standardmäßig im Lesemodus. Das Gerät verfügt über eine asymmetrische Blockarchitektur. Der M29DW323D hat ein Array von 8 Parameter- und 63 Hauptblöcken und ist in zwei Bänke, A und B, unterteilt, die Dual-Bank-Operationen ermöglichen. Während des Programmierens oder Löschens in Bank A sind Leseoperationen in Bank B möglich und umgekehrt. Nur eine Bank darf sich gleichzeitig im Programmier- oder Löschmodus befinden.

Der M29DW323D verfügt über einen zusätzlichen Block (Extended Block) mit 32 KWord (x16-Modus) oder 64 KByte (x8-Modus), auf den über einen speziellen Befehl zugegriffen werden kann. Der Extended Block kann geschützt werden und eignet sich daher zur Speicherung von Sicherheitsinformationen.

Der Schutz ist jedoch irreversibel, einmal geschützt, kann der Schutz nicht rückgängig gemacht werden

. Jeder Block kann unabhängig gelöscht werden, sodass gültige Daten erhalten bleiben, während alte Daten gelöscht werden.

Die Blöcke können geschützt werden, um zu verhindern, dass versehentliche Programm- oder Löschbefehle den Speicher verändern.

Programm- und Löschbefehle werden an die Befehlschnittstelle des Speichers geschrieben.

Ein On-Chip-Programm-/Löschcontroller vereinfacht den Prozess des Programmierens oder Löschens des Speichers, indem er alle speziellen Operationen übernimmt, die zur Aktualisierung des Speicherinhalts erforderlich sind.

Das Ende eines Programm- oder Löschvorgangs kann erkannt und alle Fehlerbedingungen identifiziert werden.

Der zur Steuerung des Speichers erforderliche Befehlssatz entspricht den JEDEC-Standards.

Chip Enable-, Output Enable- und Write Enable-Signale steuern den Busbetrieb des Speichers.

Sie ermöglichen eine einfache Verbindung zu den meisten Mikroprozessoren, oft ohne zusätzliche Logik.

Der Speicher wird in TSOP48 (12x20mm) und TFBGA48 (6x8mm, 0,8mm Pitch) Gehäusen angeboten.

 

FUNKTIONEN ZUSAMMENFASSUNG:

VERSORGUNGSSPANNUNG
– VCC = 2,7 V bis 3,6 V für Programm, Löschen und Lesen
– VPP = 12 V für schnelles Programmieren (optional)


„ ZUGRIFFSZEIT: 70 ns


„ PROGRAMMIERZEIT
– 10 µs pro Byte/Wort typisch
– Double Word/Quadruple Byte Programmierung


„ SPEICHERBLÖCKE
– Dual-Bank-Speicherarray: 8Mbit+24Mbit
– Parameterblöcke (obere oder untere Position)


„ DUAL-OPERATIONEN
– Lesen in einer Bank während Programmieren oder Löschen in der anderen


„ ERASURE SUSPEND UND RESUME MODI
– Lesen und Programmieren eines anderen Blocks während des Löschunterbrechens


„ UNLOCK BYPASS PROGRAM BEFEHL
– Schnellere Produktions-/Batch-Programmierung


„ VPP/WP PIN FÜR SCHNELLES PROGRAMMIEREN UND SCHREIBSCHUTZ


„ TEMPORÄRER BLOCK-ENTSPERRMODUS


„ GEMEINSAME FLASH-SCHNITTSTELLE – 64-Bit-Sicherheitscode


„ ERWEITERTER SPEICHERBLOCK
– Zusätzlicher Block als Sicherheitsblock oder zur Speicherung zusätzlicher Informationen


„ NIEDRIGE LEISTUNGSAUFNAHME – Standby und automatischer Standby


„ 100.000 PROGRAMM-/LÖSCHZYKLEN pro BLOCK


„ ELEKTRONISCHE SIGNATUR
– Hersteller-Code: 0020h
– Top-Gerätecode M29DW323DT: 225Eh
– Bottom-Gerätecode M29DW323DB: 225Fh

 

IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP-M29DW323DT70N6E Spezifikation:

Kategorie Elektronische Komponenten
Unterkategorie
Integrierte Schaltungen (ICs)
Serie
Speicher
Hersteller
Micron Technology Inc.
Gehäuse
Tray
Teilestatus
Veraltet
Speichertyp
Nichtflüchtig
Speicherformat
FLASH
Technologie
FLASH - NOR
Speichergröße
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Speicherschnittstelle
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
70ns
Zugriffszeit
70 ns
Spannung - Versorgung
2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Case
48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite)
Lieferanten-Gerätegehäuse
48-TSOP
Basisproduktnummer
M29DW323

 

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Hersteller-Teilenummer Technologie Speichergröße Gerätegehäuse
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M29DW323DT70ZE6E FLASH - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DT70N6E FLASH - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
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M29DW323DB70N6 FLASH - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP

 

Bestellinformationen:


 M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Speicher Integrierte Schaltkreise IC TSOP48 Elektronische Komponenten 0

Über Micron Technology

Micron entwickelt innovative Speicher- und Speicherlösungen, die die wichtigsten und bahnbrechendsten technologischen Durchbrüche von heute vorantreiben, wie künstliche Intelligenz, das Internet der Dinge, selbstfahrende Autos, personalisierte Medizin – sogar die Weltraumforschung. Durch die Pionierarbeit bei schnelleren und effizienteren Methoden zum Sammeln, Speichern und Verwalten von Daten revolutionieren und verbessern sie die Art und Weise, wie die Welt kommuniziert, lernt und Fortschritte macht.

 

Micron Technology Produktkategorien:

 

Integrierte Schaltungen (ICs)

Speicherkarten, Module

Optoelektronik

 

Bild zur Referenz:

M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Speicher Integrierte Schaltkreise IC TSOP48 Elektronische Komponenten 1M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Speicher Integrierte Schaltkreise IC TSOP48 Elektronische Komponenten 2M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Speicher Integrierte Schaltkreise IC TSOP48 Elektronische Komponenten 3

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Stunden)
REACH-Status REACH unbeeinflusst
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

 


Ersatz-ICs Teilenummer:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
Wir verkaufen das branchenweit breiteste Portfolio an Speicher- und Speichertechnologien: DRAM, NAND und NOR Speicher-ICs. Mit engen Industriepartnerschaften und Fachwissen im Bereich Speicherlösungen ermöglicht uns unsere einzigartige Einsicht, Ihre anspruchsvollsten Bedürfnisse zu erfüllen.
 
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M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Speicher Integrierte Schaltkreise IC TSOP48 Elektronische Komponenten 4
 

 

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