M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Speicher Integrierte Schaltkreise IC TSOP48 Elektronische Komponenten
Micron FLASH NOR Speicher IC
,M29DW323 Speicher-IC
,TSOP48 NOR Flash IC
M29DW323DT70N6E Micron M29DW323 FLASH NOR Speicher-ICs TSOP48 Elektronische Komponenten
-M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 oder 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) 3V Flash-Speicher
Der M29DW323D ist ein nichtflüchtiger 32-Mbit-Speicher (4Mb x8 oder 2Mb x16), der gelesen, gelöscht und neu programmiert werden kann. Diese Vorgänge können mit einer einzigen Niederspannungsversorgung (2,7 bis 3,6 V) durchgeführt werden. Beim Einschalten befindet sich der Speicher standardmäßig im Lesemodus. Das Gerät verfügt über eine asymmetrische Blockarchitektur. Der M29DW323D hat ein Array von 8 Parameter- und 63 Hauptblöcken und ist in zwei Bänke, A und B, unterteilt, die Dual-Bank-Operationen ermöglichen. Während des Programmierens oder Löschens in Bank A sind Leseoperationen in Bank B möglich und umgekehrt. Nur eine Bank darf sich gleichzeitig im Programmier- oder Löschmodus befinden.
Der M29DW323D verfügt über einen zusätzlichen Block (Extended Block) mit 32 KWord (x16-Modus) oder 64 KByte (x8-Modus), auf den über einen speziellen Befehl zugegriffen werden kann. Der Extended Block kann geschützt werden und eignet sich daher zur Speicherung von Sicherheitsinformationen.
Der Schutz ist jedoch irreversibel, einmal geschützt, kann der Schutz nicht rückgängig gemacht werden
. Jeder Block kann unabhängig gelöscht werden, sodass gültige Daten erhalten bleiben, während alte Daten gelöscht werden.
Die Blöcke können geschützt werden, um zu verhindern, dass versehentliche Programm- oder Löschbefehle den Speicher verändern.
Programm- und Löschbefehle werden an die Befehlschnittstelle des Speichers geschrieben.
Ein On-Chip-Programm-/Löschcontroller vereinfacht den Prozess des Programmierens oder Löschens des Speichers, indem er alle speziellen Operationen übernimmt, die zur Aktualisierung des Speicherinhalts erforderlich sind.
Das Ende eines Programm- oder Löschvorgangs kann erkannt und alle Fehlerbedingungen identifiziert werden.
Der zur Steuerung des Speichers erforderliche Befehlssatz entspricht den JEDEC-Standards.
Chip Enable-, Output Enable- und Write Enable-Signale steuern den Busbetrieb des Speichers.
Sie ermöglichen eine einfache Verbindung zu den meisten Mikroprozessoren, oft ohne zusätzliche Logik.
Der Speicher wird in TSOP48 (12x20mm) und TFBGA48 (6x8mm, 0,8mm Pitch) Gehäusen angeboten.
FUNKTIONEN ZUSAMMENFASSUNG:
VERSORGUNGSSPANNUNG
– VCC = 2,7 V bis 3,6 V für Programm, Löschen und Lesen
– VPP = 12 V für schnelles Programmieren (optional)
ZUGRIFFSZEIT: 70 ns
PROGRAMMIERZEIT
– 10 µs pro Byte/Wort typisch
– Double Word/Quadruple Byte Programmierung
SPEICHERBLÖCKE
– Dual-Bank-Speicherarray: 8Mbit+24Mbit
– Parameterblöcke (obere oder untere Position)
DUAL-OPERATIONEN
– Lesen in einer Bank während Programmieren oder Löschen in der anderen
ERASURE SUSPEND UND RESUME MODI
– Lesen und Programmieren eines anderen Blocks während des Löschunterbrechens
UNLOCK BYPASS PROGRAM BEFEHL
– Schnellere Produktions-/Batch-Programmierung
VPP/WP PIN FÜR SCHNELLES PROGRAMMIEREN UND SCHREIBSCHUTZ
TEMPORÄRER BLOCK-ENTSPERRMODUS
GEMEINSAME FLASH-SCHNITTSTELLE – 64-Bit-Sicherheitscode
ERWEITERTER SPEICHERBLOCK
– Zusätzlicher Block als Sicherheitsblock oder zur Speicherung zusätzlicher Informationen
NIEDRIGE LEISTUNGSAUFNAHME – Standby und automatischer Standby
100.000 PROGRAMM-/LÖSCHZYKLEN pro BLOCK
ELEKTRONISCHE SIGNATUR
– Hersteller-Code: 0020h
– Top-Gerätecode M29DW323DT: 225Eh
– Bottom-Gerätecode M29DW323DB: 225Fh
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP-M29DW323DT70N6E Spezifikation:
| Kategorie | Elektronische Komponenten |
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Unterkategorie
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Integrierte Schaltungen (ICs)
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Serie
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Speicher
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Hersteller
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Micron Technology Inc.
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Gehäuse
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Tray
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Teilestatus
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Veraltet
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Speichertyp
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Nichtflüchtig
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Speicherformat
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FLASH
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Technologie
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FLASH - NOR
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Speichergröße
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32Mb (4M x 8, 2M x 16)
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Speicherschnittstelle
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Parallel
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Schreibzykluszeit - Wort, Seite
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70ns
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Zugriffszeit
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70 ns
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Spannung - Versorgung
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2,7 V ~ 3,6 V
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Betriebstemperatur
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-40°C ~ 85°C (TA)
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Montagetyp
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Oberflächenmontage
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Gehäuse / Case
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48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite)
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Lieferanten-Gerätegehäuse
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48-TSOP
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Basisproduktnummer
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M29DW323
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Verwandte Produktnummern:
| Hersteller-Teilenummer | Technologie | Speichergröße | Gerätegehäuse |
| M29DW323DB70N6F TR | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DT70N6F TR | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB5AN6F TR | FLASH - NOR | 256Mb (16M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N3E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70ZE6E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DB70ZE6F TR | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DB7AN6F TR | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DT70ZE6F TR | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DT70ZE6E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DT70N6E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6E | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6 | FLASH - NOR | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
Bestellinformationen:
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Über Micron Technology
Micron entwickelt innovative Speicher- und Speicherlösungen, die die wichtigsten und bahnbrechendsten technologischen Durchbrüche von heute vorantreiben, wie künstliche Intelligenz, das Internet der Dinge, selbstfahrende Autos, personalisierte Medizin – sogar die Weltraumforschung. Durch die Pionierarbeit bei schnelleren und effizienteren Methoden zum Sammeln, Speichern und Verwalten von Daten revolutionieren und verbessern sie die Art und Weise, wie die Welt kommuniziert, lernt und Fortschritte macht.
Micron Technology Produktkategorien:
Integrierte Schaltungen (ICs)
Speicherkarten, Module
Optoelektronik
Bild zur Referenz:
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Umwelt- und Exportklassifizierungen
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH unbeeinflusst |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
Ersatz-ICs Teilenummer:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
Wir verkaufen das branchenweit breiteste Portfolio an Speicher- und Speichertechnologien: DRAM, NAND und NOR Speicher-ICs. Mit engen Industriepartnerschaften und Fachwissen im Bereich Speicherlösungen ermöglicht uns unsere einzigartige Einsicht, Ihre anspruchsvollsten Bedürfnisse zu erfüllen.
Verwandter Parallel NOR Flash IC Teilekatalog:
| MT28EW128ABA1HJS-0SIT |
| MT28EW128ABA1HPC-0SIT |
| MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
| MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
| MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
| MT28EW128ABA1LPN-0SIT |
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