M29DW323 M29DW323DT70N6 Микросхемы памяти Micron FLASH NOR, интегральные схемы, TSOP48, электронные компоненты

M29DW323DT70N6E Micron M29DW323 Интегральные схемы флэш-памяти NOR IC TSOP48 Электронные компоненты 

-M29DW323DT M29DW323DB 32 Мбит (4 Мб x8 или 2 Мб x16, двухбанковая 8:24, загрузочный блок) флэш-память с питанием 3 В

M29DW323D представляет собой энергонезависимую память объемом 32 Мбит (4 Мб x8 или 2 Мб x16), которую можно считывать, стирать и перепрограммировать. Эти операции могут выполняться с использованием одного источника питания с низким напряжением (от 2,7 до 3,6 В). При включении питания память по умолчанию переходит в режим чтения. Устройство имеет асимметричную блочную архитектуру. M29DW323D имеет массив из 8 параметров и 63 основных блоков и разделен на два банка, A и B, обеспечивая двухбанковые операции. Во время программирования или стирания в банке A возможны операции чтения в банке B и наоборот. Одновременно только один банк может находиться в режиме программирования или стирания.

M29DW323D имеет дополнительный блок размером 32 Кслов (режим x16) или 64 Кбайта (режим x8), Расширенный блок, доступ к которому осуществляется с помощью специальной команды. Расширенный блок может быть защищен и поэтому полезен для хранения информации безопасности.

Однако защита необратима, после защиты ее нельзя отменить.

Каждый блок может быть стерт независимо, поэтому можно сохранить действительные данные, пока старые данные стираются.

Блоки могут быть защищены для предотвращения случайного изменения памяти командами программирования или стирания.

Команды программирования и стирания записываются в интерфейс команд памяти.

Встроенный контроллер программирования/стирания упрощает процесс программирования или стирания памяти, выполняя все специальные операции, необходимые для обновления содержимого памяти.

Конец операции программирования или стирания может быть обнаружен, а любые условия ошибки идентифицированы.

Набор команд, необходимых для управления памятью, соответствует стандартам JEDEC.

Сигналы Chip Enable, Output Enable и Write Enable управляют работой шины памяти.

Они обеспечивают простое подключение к большинству микропроцессоров, часто без дополнительной логики.

Память предлагается в корпусах TSOP48 (12x20 мм) и TFBGA48 (6x8 мм, шаг 0,8 мм).

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК:

НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ
– VCC = от 2,7 В до 3,6 В для программирования, стирания и чтения
– VPP = 12 В для быстрого программирования (опционально)

„ ВРЕМЯ ДОСТУПА: 70 нс

„ ВРЕМЯ ПРОГРАММИРОВАНИЯ
– 10 мкс на байт/слово, типично
– Программирование двойного слова/четверного байта

„ БЛОКИ ПАМЯТИ
– Двухбанковый массив памяти: 8 Мбит + 24 Мбит
– Параметрические блоки (верхнее или нижнее расположение)

„ ДВУХБАНКОВЫЕ ОПЕРАЦИИ
– Чтение в одном банке во время программирования или стирания в другом

„ РЕЖИМЫ ПРИОСТАНОВКИ И ВОЗОБНОВЛЕНИЯ СТИРАНИЯ
– Чтение и программирование другого блока во время приостановки стирания

„ КОМАНДА ПРОПУСКА ПРОГРАММИРОВАНИЯ
– Более быстрое производство/пакетное программирование

„ ВЫВОД VPP/WP ДЛЯ БЫСТРОГО ПРОГРАММИРОВАНИЯ И ЗАЩИТЫ ЗАПИСИ

„ РЕЖИМ ВРЕМЕННОГО СНЯТИЯ ЗАЩИТЫ БЛОКА

„ ОБЩИЙ ИНТЕРФЕЙС FLASH – 64-битный код безопасности

„ РАСШИРЕННЫЙ БЛОК ПАМЯТИ
– Дополнительный блок, используемый в качестве блока безопасности или для хранения дополнительной информации

„ НИЗКОЕ ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ – Режим ожидания и автоматический режим ожидания

„ 100 000 ЦИКЛОВ ПРОГРАММИРОВАНИЯ/СТИРАНИЯ на БЛОК

„ ЭЛЕКТРОННАЯ ПОДПИСЬ
– Код производителя: 0020h
– Код устройства сверху M29DW323DT: 225Eh
– Код устройства снизу M29DW323DB: 225Fh

IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP-M29DW323DT70N6E Спецификация:

Связанные номера продуктов:

Информация для заказа:

О Micron Technology

Micron создает инновационные решения для памяти и хранения данных, которые помогают продвигать самые значимые и прорывные технологические достижения сегодняшнего дня, такие как искусственный интеллект, Интернет вещей, беспилотные автомобили, персонализированная медицина и даже освоение космоса.Пионерскими более быстрыми и эффективными способами сбора, хранения и управления данными они помогают революционизировать и улучшить способы общения, обучения и развития в мире.

Категории продуктов Micron Technology:

Интегральные схемы (ИС)

Карты памяти, модули

Оптоэлектроника

Изображение для справки:

Экологические классификации и экспортные классификации

Заменяющие интегральные схемы, номер детали:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
Мы продаем самый широкий в отрасли портфель технологий памяти и хранения данных: DRAM, NAND и NOR флэш-память. Благодаря тесному сотрудничеству с отраслью и опыту в области решений для памяти, наше уникальное понимание дает нам возможность удовлетворять ваши самые сложные потребности.
 
Каталог сопутствующих параллельных NOR Flash интегральных схем: