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K4A8G165WG-BCWE DDR4-3200 8Gb (512MX16) 0,620ns Samsung Semiconductor, Inc. SDRAM - mémoire IC DDR4 8Gbit parallèle 3200 Mbps 19 ns

catégorie:
circuits intégrés analogiques
Prix:
Negotiated
Mode de paiement:
T/T
Caractéristiques
D / c:
NOUVEAU, le plus récent, 16+, 2018+, originaux
Taper:
CI logiques, CI de lecteur, Autres, Circuits intégrés, Interface - Commutateurs analogiques
Emballer:
BGA, DIP/SMD, SMD, norme, SOP-14
Condition:
Nouveau et original, le plus récent, original 100 %, sans plomb/conforme ROHS.
Statut sans plomb:
Sans plombPB, sans plomb/conforme RoHS, sans plomb/RoHS, conforme ROHS
Température de fonctionnement:
standard,-40°C ~ 105°C,nous contacter,-40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Expédition par:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post, DHL
Skype est là.:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Délai de mise en œuvre:
en stock,2-3 jours,1-3 jours,nous contacter
Garantie:
365 jours, 90 jours
Application:
Autre, ordinateur, standard, produits électroniques
WhatsApp:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Expédition:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS, 1-3 jours, LIVRAISON EXPRESS
Conditionnement:
Emballage, ruban et bobine d'exportation sûrs et standard (TR)
Numéro de pièce:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tension d'alimentation:
Standard
Mettre en évidence:

Samsung DDR4-3200 SDRAM

,

IC de mémoire DDR4 de 8 Go

,

3200 Mbps de mémoire SDRAM

Introduction au projet
Attributs du produit
Catégorie
Circuits intégrés (CI)
Mémoire
Mémoire
Interface mémoire
Parallèle
Fabricant
Samsung Semiconductor, Inc.
Fréquence d'horloge
3200 Mbps
Conditionnement
Plateau
Temps de cycle d'écriture - Mot, Page
15ns
Statut de la pièce
Actif
Temps d'accès
19 ns
Type de mémoire
Volatile
Tension - Alimentation
1.2V
Format de mémoire
DRAM
Température de fonctionnement
0°C ~ 95°C
Technologie
SDRAM - DDR4
Type de montage
Montage en surface
Taille de la mémoire
8 Gbit
Boîtier / Boîtier
96-FBGA
Organisation de la mémoire
512M x 16
Envoyez le RFQ
Action:
MOQ: