K4A8G165WG-BCWE DDR4-3200 8Gb (512MX16) 0.620ns Samsung Semiconductor, Inc.SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gbit Parallel 3200 Mbps 19 ns
catégorie:
circuits intégrés analogiques
Prix:
Negotiated
Mode de paiement:
T/T
Caractéristiques
D / c:
NOUVEAU, le plus récent, 16+, 2018+, originaux
Taper:
CI logiques, CI de lecteur, Autres, Circuits intégrés, Interface - Commutateurs analogiques
Emballer:
BGA, DIP/SMD, SMD, norme, SOP-14
Condition:
Nouveau et original, le plus récent, original 100 %, sans plomb/conforme ROHS.
Statut sans plomb:
Sans plombPB, sans plomb/conforme RoHS, sans plomb/RoHS, conforme ROHS
Température de fonctionnement:
standard,-40°C ~ 105°C,nous contacter,-40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Expédition par:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post, DHL
Skype est là.:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Délai de mise en œuvre:
en stock,2-3 jours,1-3 jours,nous contacter
Garantie:
365 jours, 90 jours
Application:
Autre, ordinateur, standard, produits électroniques
WhatsApp:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Expédition:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS, 1-3 jours, LIVRAISON EXPRESS
Conditionnement:
Emballage, ruban et bobine d'exportation sûrs et standard (TR)
Numéro de pièce:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tension d'alimentation:
Standard
Mettre en évidence:
Samsung DDR4-3200 SDRAM
,8Gb DDR4 memory IC
,3200 Mbps SDRAM
Introduction au projet
Product Attributes Filter Similar Products Show Empty Attributes Category Integrated Circuits (ICs) Memory Memory Memory Interface Parallel Mfr Samsung Semiconductor, Inc. Clock Frequency 3200 Mbps Packaging Tray Write Cycle Time - Word, Page 15ns Part Status Active Access Time 19 ns Memory Type Volatile Voltage - Supply 1.2V Memory Format DRAM Operating Temperature 0°C ~ 95°C Technology SDRAM - DDR4 Mounting Type Surface Mount Memory Size 8Gbit Package / Case 96-FBGA Memory
Envoyez le RFQ
Action:
MOQ:
