K4A8G165WG-BCWE DDR4-3200 8Gb (512MX16) 0,620ns Samsung Semiconductor, Inc. SDRAM - mémoire IC DDR4 8Gbit parallèle 3200 Mbps 19 ns
Caractéristiques
D / c:
NOUVEAU, le plus récent, 16+, 2018+, originaux
Taper:
CI logiques, CI de lecteur, Autres, Circuits intégrés, Interface - Commutateurs analogiques
Emballer:
BGA, DIP/SMD, SMD, norme, SOP-14
Condition:
Nouveau et original, le plus récent, original 100 %, sans plomb/conforme ROHS.
Statut sans plomb:
Sans plombPB, sans plomb/conforme RoHS, sans plomb/RoHS, conforme ROHS
Température de fonctionnement:
standard,-40°C ~ 105°C,nous contacter,-40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Expédition par:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post, DHL
Skype est là.:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Délai de mise en œuvre:
en stock,2-3 jours,1-3 jours,nous contacter
Garantie:
365 jours, 90 jours
Application:
Autre, ordinateur, standard, produits électroniques
WhatsApp:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Expédition:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS, 1-3 jours, LIVRAISON EXPRESS
Conditionnement:
Emballage, ruban et bobine d'exportation sûrs et standard (TR)
Numéro de pièce:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tension d'alimentation:
Standard
Mettre en évidence:
Samsung DDR4-3200 SDRAM
,IC de mémoire DDR4 de 8 Go
,3200 Mbps de mémoire SDRAM
Introduction au projet
Attributs du produit
|
Catégorie
Circuits intégrés (CI)
Mémoire
Mémoire
|
Interface mémoire
Parallèle
|
|
Fabricant
Samsung Semiconductor, Inc.
|
Fréquence d'horloge
3200 Mbps
|
|
Conditionnement
Plateau
|
Temps de cycle d'écriture - Mot, Page
15ns
|
|
Statut de la pièce
Actif
|
Temps d'accès
19 ns
|
|
Type de mémoire
Volatile
|
Tension - Alimentation
1.2V
|
|
Format de mémoire
DRAM
|
Température de fonctionnement
0°C ~ 95°C
|
|
Technologie
SDRAM - DDR4
|
Type de montage
Montage en surface
|
|
Taille de la mémoire
8 Gbit
|
Boîtier / Boîtier
96-FBGA
|
|
Organisation de la mémoire
512M x 16
|
Envoyez le RFQ
Action:
MOQ: