K4A8G165WG-BCWE DDR4-3200 8Gb (512MX16) 0.620ns Samsung Semiconductor, Inc.SDRAM - DDR4 Μνήμη IC 8Gbit Παράλληλο 3200 Mbps 19 ns
κατηγορία:
Αναλογικά ολοκληρωμένα κυκλώματα
Τιμή:
Negotiated
Τρόπος πληρωμής:
T/T
Προδιαγραφές
Δ/γ:
ΝΕΑ,Νεότερα,16+,2018+, πρωτότυπα
Τύπος:
Λογικά IC, IC μονάδας, Άλλα, Ενσωματωμένα κυκλώματα, Διεπαφή - Αναλογικοί διακόπτες
Πακέτο:
BGA,DIP/SMD,SMD,Standard,SOP-14
Κατάσταση:
Νέο και πρωτότυπο, νεότερο, πρωτότυπο 100%, συμβατό χωρίς μόλυβδο/ROHS
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο:
Lead FreePB, χωρίς μόλυβδο / συμβατό με RoHS, χωρίς μόλυβδο/RoHS, συμβατό με ROHS
Θερμοκρασία λειτουργίας:
στάνταρ, -40°C ~ 105°C, επικοινωνήστε μαζί μας, -40°C ~ 85°C, 0°C ~ 70°C
Αποστολή από:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post,DHL
Skype:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Χρόνος ανοχής:
σε απόθεμα, 2-3 ημέρες, 1-3 ημέρες, επικοινωνήστε μαζί μας
Εγγύηση:
365 ημέρες, 90 ημέρες
Εφαρμογή:
Άλλα, Υπολογιστές, Standard, Ηλεκτρονικά Προϊόντα
WhatsAPP:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Αποστολή:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS,1-3 Ημέρες,Εξπρές ΠΑΡΑΔΟΣΗ
Συσκευασία:
Ασφαλής, Τυπική συσκευασία εξαγωγής, Ταινία και καρούλι (TR)
Αριθμός ανταλλακτικού:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Τάση τροφοδοσίας:
Πρότυπο
Επισημαίνω:
Samsung DDR4-3200 SDRAM
,8Gb DDR4 μνήμη IC
,3200 Mbps SDRAM
Εισαγωγή
Χαρακτηριστικά Προϊόντος
|
Κατηγορία
Ολοκληρωμένα Κυκλώματα (ICs)
Μνήμη
Μνήμη
|
Διεπαφή Μνήμης
Παράλληλη
|
|
Κατασκευαστής
Samsung Semiconductor, Inc.
|
Συχνότητα Ρολογιού
3200 Mbps
|
|
Συσκευασία
Δίσκος
|
Χρόνος Κύκλου Εγγραφής - Λέξη, Σελίδα
15ns
|
|
Κατάσταση Μέρους
Ενεργό
|
Χρόνος Πρόσβασης
19 ns
|
|
Τύπος Μνήμης
Πτητική
|
Τάση - Τροφοδοσίας
1.2V
|
|
Μορφή Μνήμης
DRAM
|
Θερμοκρασία Λειτουργίας
0°C ~ 95°C
|
|
Τεχνολογία
SDRAM - DDR4
|
Τύπος Τοποθέτησης
Επιφανειακή Τοποθέτηση
|
|
Μέγεθος Μνήμης
8Gbit
|
Πακέτο / Θήκη
96-FBGA
|
|
Οργάνωση Μνήμης
512M x 16
|
Στείλετε το RFQ
Στοκ:
MOQ:
