K4A8G165WG-BCWE DDR4-3200 8Gb (512MX16) 0.620ns Samsung Semiconductor, Inc. SDRAM - DDR4 Память IC 8Gbit Параллельный 3200 Mbps 19 ns
Технические характеристики
D/C.:
НОВЫЕ, новейшие, 16+, 2018+, оригиналы
Тип:
Логические ИС,Приводные ИС,Другое,Интегральные схемы,Интерфейсы - аналоговые переключатели
Упаковка:
BGA,DIP/SMD,SMD,стандарт,SOP-14
Состояние:
Новый и оригинальный, новейший, оригинальный 100%, не содержит свинца/соответствует ROHS
Статус свинца:
Без свинцаPB, без свинца/соответствие RoHS, без свинца/RoHS, соответствие ROHS
Рабочая температура:
стандарт, -40°C ~ 105°C, свяжитесь с нами, -40°C ~ 85°C, 0°C ~ 70°C
Доставка по:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post,DHL
Скайп:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Время выполнения:
в наличии, 2-3 дня, 1-3 дня, свяжитесь с нами
Гарантия:
365 дней, 90 дней
Приложение:
Другое, компьютер, стандарт, электронная продукция
WhatsApp:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
Электронная почта:
Николь @ecmart.net,клифф @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Перевозки:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS, 1-3 дня, экспресс-доставка
Упаковка:
Безопасная, стандартная экспортная упаковка, лента и катушка (TR)
Номер детали:
МАКС542, УПК844Г2-Э1, МАКС5353БКУА+
Напряжение питания:
Стандарт
Выделить:
Samsung DDR4-3200 SDRAM
,IC памяти 8 ГБ DDR4
,3200 Мбит/с SDRAM
Введение
Атрибуты продукта
|
Категория
Интегральные схемы (ИС)
Память
Память
|
Интерфейс памяти
Параллельный
|
|
Производитель
Samsung Semiconductor, Inc.
|
Тактовая частота
3200 Мбит/с
|
|
Упаковка
Лотки
|
Время цикла записи - слово, страница
15 нс
|
|
Статус детали
Активный
|
Время доступа
19 нс
|
|
Тип памяти
Энергозависимая
|
Напряжение питания
1,2 В
|
|
Формат памяти
DRAM
|
Рабочая температура
0°C ~ 95°C
|
|
Технология
SDRAM - DDR4
|
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
|
|
Размер памяти
8 Гбит
|
Корпус/кейс
96-FBGA
|
|
Организация памяти
512M x 16
|
Отправьте RFQ
Запас:
минимальный заказ: