K4A8G165WG-BCWE DDR4-3200 8Gb (512MX16) 0.620ns Samsung Semiconductor, Inc.SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gbit Parallel 3200 Mbps 19 ns
categoria:
circuitos integrados analógicos
Preço:
Negotiated
Método de pagamento:
T/T
Especificações
D/c:
NOVO, mais recente, 16+, 2018+, originais
Tipo:
CIs lógicos,IC de unidade,Outros,Circuitos integrados,Interface - Chaves analógicas
Pacote:
BGA,DIP/SMD,SMD,Padrão,SOP-14
Doença:
Novo e original, mais recente, original 100%, sem chumbo/compatível com ROHS
Status livre de chumbo:
Chumbo FreePB, sem chumbo / compatível com RoHS, sem chumbo / RoHS, compatível com ROHS
Temperatura operacional:
padrão,-40°C ~ 105°C,entre em contato conosco,-40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Envio por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post,DHL
Skype:
Zhao.zzk293, CandyZhao, wengo.electronic, mbingjie, sales06.sfwy
Tempo de espera:
em estoque, 2-3 dias, 1-3 dias, entre em contato conosco
Garantia:
365 dias, 90 dias
Aplicativo:
Outros,Computador,Stanard,Produtos Eletrônicos
WhatsAPP:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Envio:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS,1-3Dias, ENTREGA Expressa
Embalagem:
Embalagem de exportação segura e padrão, fita e carretel (TR)
Número da peça:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tensão de alimentação:
Padrão
Destacar:
Samsung DDR4-3200 SDRAM
,8Gb DDR4 memory IC
,3200 Mbps SDRAM
Introdução
Product Attributes Filter Similar Products Show Empty Attributes Category Integrated Circuits (ICs) Memory Memory Memory Interface Parallel Mfr Samsung Semiconductor, Inc. Clock Frequency 3200 Mbps Packaging Tray Write Cycle Time - Word, Page 15ns Part Status Active Access Time 19 ns Memory Type Volatile Voltage - Supply 1.2V Memory Format DRAM Operating Temperature 0°C ~ 95°C Technology SDRAM - DDR4 Mounting Type Surface Mount Memory Size 8Gbit Package / Case 96-FBGA Memory
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