K4A8G165WG-BCWE DDR4-3200 8Gb (512MX16) 0.620ns Samsung Semiconductor, Inc.SDRAM - DDR4 Speicher IC 8Gbit Parallel 3200 Mbps 19 ns
Kategorie:
Analog-Integrierte Schaltungen
Preis:
Negotiated
Zahlungsmethode:
T/T
Spezifikationen
D/c:
NEU, Neueste, 16+, 2018+, Originale
Typ:
Logik-ICs, Antriebs-ICs, Sonstiges, Integrierte Schaltkreise, Schnittstelle – Analogschalter
Paket:
BGA, DIP/SMD, SMD, Standard, SOP-14
Zustand:
Neu und Original, Neueste, Original 100 %, bleifrei/ROHS-konform
Bleifreier Status:
BleifreiPB,Bleifrei/RoHS-konform,Bleifrei/RoHS,ROHS-konform
Betriebstemperatur:
Standard, -40°C ~ 105°C, kontaktieren Sie uns, -40°C ~ 85°C, 0°C ~ 70°C
Versand per:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post,DHL
Skype:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Vorlaufzeit:
Auf Lager, 2-3 Tage, 1-3 Tage, kontaktieren Sie uns
Garantie:
365 Tage, 90 Tage
Anwendung:
Andere, Computer, Standard, elektronische Produkte
WhatsAPP:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-Mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Versand:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS, 1-3 Tage, Express-LIEFERUNG
Verpackung:
Sichere Standard-Exportverpackung, Tape & Reel (TR)
Teilenummer:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Versorgungsspannung:
Standard
Hervorheben:
Samsung DDR4-3200 SDRAM
,8 GB DDR4-Speicher-IC
,3200 Mbps SDRAM
Einleitung
Produktattribute
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Kategorie
Integrierte Schaltungen (ICs)
Speicher
Speicher
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Speicherinterface
Parallel
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Hersteller
Samsung Semiconductor, Inc.
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Taktfrequenz
3200 Mbps
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Verpackung
Tray
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Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
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Teilestatus
Aktiv
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Zugriffszeit
19 ns
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Speichertyp
Volatil
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Spannung - Versorgung
1.2V
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Speicherformat
DRAM
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Betriebstemperatur
0°C ~ 95°C
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Technologie
SDRAM - DDR4
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Montagetyp
Oberflächenmontage
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Speichergröße
8Gbit
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Gehäuse / Case
96-FBGA
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Speicherorganisation
512M x 16
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Senden Sie RFQ
Aktie:
Mindestbestellmenge:
