K4A8G165WG-BCWE DDR4-3200 8Gb (512MX16) 0.620ns 삼성반도체, Inc.SDRAM - DDR4 메모리 IC 8Gbit 병렬 3200 Mbps 19 ns
범주:
아날로그 통합 회로
가격:
Negotiated
결제수단:
티/티
명세서
d/c:
신규,최신,16세 이상,2018+,원본
유형:
로직 IC,드라이브 IC,기타,집적 회로,인터페이스-아날로그 스위치
패키지:
BGA,DIP/SMD,SMD,표준,SOP-14
상태:
신규 및 기존, 최신, 원본 100%, 무연/ROHS 준수
무연 상태:
무연PB, 무연/RoHS 준수, 무연/RoHS,ROHS 준수
작동 온도:
표준, -40°C ~ 105°C, 당사에 문의, -40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
배송 방법:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK 포스트, DHL
스카이프:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
리드타임:
재고가 있는 경우, 2~3일, 1~3일, 문의해 주세요.
보증:
365일,90일
애플리케이션:
기타,컴퓨터,표준,전자 제품
왓츠앱:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
이메일:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
해운:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS,1-3일,특급 배송
포장:
안전한 표준 수출 포장, 테이프 및 릴(TR)
부품 번호:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
공급 전압:
기준
강조하다:
삼성 DDR4-3200 SDRAM
,8Gb DDR4 메모리 IC
,3200 Mbps SDRAM
소개
제품 속성
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카테고리
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
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메모리 인터페이스
병렬
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Mfr
삼성 반도체, Inc.
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시계 주파수
3200 Mbps
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포장
트레이
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주기 시간 - 단어, 페이지
15n
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부분 상태
액티브
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접속 시간
19 ns
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메모리 타입
휘발성
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전압 - 공급
1.2V
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메모리 형식
DRAM
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작동 온도
0°C ~ 95°C
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기술
SDRAM - DDR4
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장착형
표면 마운트
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메모리 크기
8Gbit
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패키지 / 케이스
96-FBGA
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기억 조직
512M x 16
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가격 요구를 보내세요
재고:
MOQ:
