K4A8G165WG-BCWE DDR4-3200 8Gb (512MX16) 0.620ns Samsung Semiconductor, Inc.SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gbit Parallel 3200 Mbps 19 ns
categoría:
circuitos integrados analógicos
Precio:
Negotiated
Método de pago:
T/T
Presupuesto
CORRIENTE CONTINUA:
NUEVO, más nuevo, 16+, 2018+, originales
Tipo:
Circuitos integrados lógicos, circuitos integrados de accionamiento, otros, circuitos integrados, in
Paquete:
BGA, DIP/SMD, SMD, estándar, SOP-14
Condición:
Nuevo y original, más nuevo, original 100%, sin plomo/cumple con ROHS
Estado libre de plomo:
Sin plomo PB, sin plomo/cumple con RoHS, sin plomo/RoHS, cumple con ROHS
Temperatura de funcionamiento:
Estándar, -40°C ~ 105°C, contáctenos, -40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Envío por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post, DHL
¿ Qué pasa?:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Plazo de entrega:
en stock, 2-3 días, 1-3 días, contáctenos
Garantía:
365 días, 90 días
Solicitud:
Otros, Computadora, Estándar, Productos electrónicos
WhatsApp:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
Correo electrónico:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(arroba)hotmail.com
Envío:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS, 1-3 días, ENTREGA exprés
Embalaje:
Embalaje, cinta y carrete de exportación estándar y seguro (TR)
Número de pieza:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tensión de alimentación:
Estándar
Resaltar:
Samsung DDR4-3200 SDRAM
,8Gb DDR4 memory IC
,3200 Mbps SDRAM
Introducción
Product Attributes Filter Similar Products Show Empty Attributes Category Integrated Circuits (ICs) Memory Memory Memory Interface Parallel Mfr Samsung Semiconductor, Inc. Clock Frequency 3200 Mbps Packaging Tray Write Cycle Time - Word, Page 15ns Part Status Active Access Time 19 ns Memory Type Volatile Voltage - Supply 1.2V Memory Format DRAM Operating Temperature 0°C ~ 95°C Technology SDRAM - DDR4 Mounting Type Surface Mount Memory Size 8Gbit Package / Case 96-FBGA Memory
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