K4A8G165WG-BCWE DDR4-3200 8Gb (512MX16) 0.620ns Samsung Semiconductor, Inc. SDRAM - Memoria DDR4 IC 8Gbit Parallela 3200 Mbps 19 ns
categoria:
circuiti integrati analogici
Prezzo:
Negotiated
Metodo di pagamento:
T/T
Specifiche
D/c:
NUOVO, più recente, 16+, 2018+, originali
Tipo:
CI logici, CI di azionamento, Altro, Circuiti integrati, Interfacce - Interruttori analogici
Pacchetto:
BGA,DIP/SMD,SMD,Standard,SOP-14
Condizione:
Nuovo e originale, nuovissimo, originale al 100%, senza piombo/conforme alla direttiva ROHS
Stato senza piombo:
Senza piomboPB, senza piombo/conforme RoHS, senza piombo/RoHS, conforme a ROHS
Temperatura operativa:
standard,-40°C ~ 105°C,contattare con noi,-40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Spedizione entro:
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post, DHL
Skype:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Tempi di consegna:
in magazzino, 2-3 giorni, 1-3 giorni, contattaci
Garanzia:
365 giorni, 90 giorni
Applicazione:
Altro, computer, standard, prodotti elettronici
WhatsAPP:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Spedizione:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS, 1-3 giorni, CONSEGNA espressa
Confezione:
Imballaggio per esportazione sicuro e standard, nastro e bobina (TR)
Numero di parte:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tensione di alimentazione:
Standard
Evidenziare:
Samsung DDR4-3200 SDRAM
,Memoria DDR4 IC 8Gb
,SDRAM 3200 Mbps
Introduzione
Attributi del prodotto
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Categoria
Circuiti integrati (IC)
Memoria
Memoria
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Interfaccia di memoria
Parallela
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Produttore
Samsung Semiconductor, Inc.
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Frequenza di clock
3200 Mbps
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Confezione
Vassoio
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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, Pagina
15ns
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Stato del componente
Attivo
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Tempo di accesso
19 ns
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Tipo di memoria
Volatile
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Tensione di alimentazione
1.2V
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Formato memoria
DRAM
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Temperatura operativa
0°C ~ 95°C
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Tecnologia
SDRAM - DDR4
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Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
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Dimensione memoria
8 Gbit
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Package / Case
96-FBGA
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Organizzazione memoria
512M x 16
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Invii il RFQ
Azione:
MOQ:
