K4A8G165WG-BCWE DDR4-3200 8Gb (512MX16) 0.620ns Samsung Semiconductor, Inc.SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gbit Parallel 3200 Mbps 19 ns
categoria:
circuiti integrati analogici
Prezzo:
Negotiated
Metodo di pagamento:
T/T
Specifiche
D/c:
NUOVO, più recente, 16+, 2018+, originali
Tipo:
CI logici, CI di azionamento, Altro, Circuiti integrati, Interfacce - Interruttori analogici
Pacchetto:
BGA,DIP/SMD,SMD,Standard,SOP-14
Condizione:
Nuovo e originale, nuovissimo, originale al 100%, senza piombo/conforme alla direttiva ROHS
Stato senza piombo:
Senza piomboPB, senza piombo/conforme RoHS, senza piombo/RoHS, conforme a ROHS
Temperatura operativa:
standard,-40°C ~ 105°C,contattare con noi,-40°C ~ 85°C,0°C ~ 70°C
Spedizione entro:
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post, DHL
Skype:
Zhao.zzk293,CandyZhao,wengo.electronic,mbingjie,sales06.sfwy
Tempi di consegna:
in magazzino, 2-3 giorni, 1-3 giorni, contattaci
Garanzia:
365 giorni, 90 giorni
Applicazione:
Altro, computer, standard, prodotti elettronici
WhatsAPP:
86-13417070178,+86 13699821400,86-15007558828
E-mail:
nicole @ecmart.net,cliffe @jeking.cc,wengoic(at)hotmail.com
Spedizione:
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS, 1-3 giorni, CONSEGNA espressa
Confezione:
Imballaggio per esportazione sicuro e standard, nastro e bobina (TR)
Numero di parte:
MAX542,UPC844G2-E1,MAX5353BCUA+
Tensione di alimentazione:
Standard
Evidenziare:
Samsung DDR4-3200 SDRAM
,8Gb DDR4 memory IC
,3200 Mbps SDRAM
Introduzione
Product Attributes Filter Similar Products Show Empty Attributes Category Integrated Circuits (ICs) Memory Memory Memory Interface Parallel Mfr Samsung Semiconductor, Inc. Clock Frequency 3200 Mbps Packaging Tray Write Cycle Time - Word, Page 15ns Part Status Active Access Time 19 ns Memory Type Volatile Voltage - Supply 1.2V Memory Format DRAM Operating Temperature 0°C ~ 95°C Technology SDRAM - DDR4 Mounting Type Surface Mount Memory Size 8Gbit Package / Case 96-FBGA Memory
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Azione:
MOQ:
