Winbond 3V 64Mビット シリアルフラッシュメモリチップ W25Q64 集積回路 IC
3V 64Mビット シリアルフラッシュメモリチップ
,Winbond 3V シリアルフラッシュメモリチップ
,W25Q64 集積回路 IC
W25Q64JV W25Q64JVZEIQ W25Q64JVZEIM Winbond 3V 64Mビット デュアル、クアッドSPIフラッシュ搭載シリアルフラッシュメモリ
W25Q64JV W25Q64JVZEIQ W25Q64JVZEIM Winbond 3V 64Mビット デュアル、クアッドSPIフラッシュ搭載シリアルフラッシュメモリ
1. 一般説明
W25Q64JV (64Mビット) シリアルフラッシュメモリは、スペース、ピン数、電力に制約のあるシステム向けのストレージソリューションを提供します。
25Qシリーズは、通常のシリアルフラッシュデバイスをはるかに超える柔軟性とパフォーマンスを提供します。
RAMへのコードシャドーイング、デュアル/クアッドSPI (XIP) からの直接コード実行、音声、テキスト、データの保存に最適です。
デバイスは2.7Vから3.6Vの電源で動作し、パワーダウン時の消費電流はわずか1μAです。
すべてのデバイスは省スペースパッケージで提供されます。
W25Q64JVアレイは、それぞれ256バイトの32,768個のプログラム可能なページに編成されています。一度に最大256バイトをプログラムできます。
ページは、16個のグループ (4KBセクター消去)、128個のグループ (32KBブロック消去)、256個のグループ (64KBブロック消去)、またはチップ全体 (チップ消去) で消去できます。W25Q64JVはそれぞれ2,048個の消去可能なセクターと128個の消去可能なブロックを備えています。
小さな4KBセクターは、データおよびパラメータストレージを必要とするアプリケーションでより大きな柔軟性を可能にします。
W25Q64JVは、標準シリアルペリフェラルインターフェイス (SPI)、デュアル/クアッドI/O SPI: シリアルクロック、チップセレクト、
シリアルデータI/O0 (DI)、I/O1 (DO)、I/O2、I/O3をサポートします。W25Q64JVのSPIクロック周波数は最大133MHzをサポートしており、
Fast Read Dual/Quad I/Oを使用する場合、デュアルI/Oで266MHz (133MHz x 2)、クアッドI/Oで532MHz (133MHz x 4) の同等のクロックレートを可能にします。これらの転送レートは、標準の非同期8ビットおよび16ビットパラレルフラッシュメモリを上回ることができます。
2. 特長
新しいSpiFlashメモリファミリー
– W25Q64JV: 64Mビット / 8Mバイト
– 標準SPI: CLK, /CS, DI, DO
– デュアルSPI: CLK, /CS, IO0, IO1
– クアッドSPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3
– ソフトウェアおよびハードウェアリセット(1)
最高性能シリアルフラッシュ
– 133MHzシングル、デュアル/クアッドSPIクロック
– 266/532MHz相当デュアル/クアッドSPI
– セクターあたり最小100Kプログラム/消去サイクル
– 20年以上のデータ保持
低消費電力、広範な温度範囲
– シングル2.7～3.6V電源
– <1μAパワーダウン (標準)
– -40℃～+85℃動作範囲
– -40℃～+105℃動作範囲
4KBセクターによる柔軟なアーキテクチャ
– ユニフォームセクター/ブロック消去 (4K/32K/64Kバイト)
– プログラム可能ページあたり1～256バイトをプログラム
– 消去/プログラムの一時停止と再開
高度なセキュリティ機能
– ソフトウェアおよびハードウェア書き込み保護
– 特殊OTP保護
– トップ/ボトム、コンプリメントアレイ保護
– 個別ブロック/セクターアレイ保護
– デバイスごとの64ビットユニークID
– 発見可能なパラメータ (SFDP) レジスタ
– 3x256バイトセキュリティレジスタ
– ボラタイルおよび不揮発性ステータスレジスタビット
省スペースパッケージ
– 8ピンSOIC 208ミル
– 8パッドWSON 6x5mm / 8x6mm
– 16ピンSOIC 300ミル
– 8パッドXSON 4x4mm
– 24ボールTFBGA 8x6mm (6x4ボールアレイ)
– 24ボールTFBGA 8x6mm (6x4/5x5ボールアレイ)
– 12ボールWLCSP
仕様:
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カテゴリ
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集積回路 (IC)
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メモリ
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製造元
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Winbond Electronics
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シリーズ
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SpiFlash®
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パッケージ
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チューブ
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部品ステータス
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アクティブ
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メモリタイプ
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不揮発性
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メモリフォーマット
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FLASH
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テクノロジー
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FLASH - NOR
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メモリサイズ
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64Mb (8M x 8)
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メモリインターフェイス
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SPI - クアッドI/O
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クロック周波数
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133 MHz
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書き込みサイクルタイム - ワード、ページ
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3ms
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アクセス時間
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6 ns
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電圧 - 電源
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2.7V～3.6V
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動作温度
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-40℃～125℃ (TA)
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実装タイプ
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表面実装
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パッケージ/ケース
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8-WDFN露出パッド
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サプライヤーデバイスパッケージ
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8-WSON (8x6)
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ベース製品番号
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W25Q64
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Winbond Electronics Corporationについて
Winbond Electronics Corporationは、半導体メモリソリューションのグローバルサプライヤーです。同社は、製品設計、研究開発、製造、販売サービスの専門能力に裏打ちされた、顧客主導のメモリソリューションを提供しています。Winbondの製品ポートフォリオは、Specialty DRAM、Mobile DRAM、Code Storage Flash、TrustME® Secure Flashで構成されており、通信、民生用電子機器、自動車および産業用、コンピューター周辺機器市場のティア1顧客によって広く使用されています。
製品カテゴリ
集積回路 (IC)
オプトエレクトロニクス
水晶、発振器、共振器
アイソレーター
RF/IFおよびRFID
センサー、トランスデューサー
関連IC部品番号 (入手可能):
IC-8 208ミル 64Mビット
W25Q64JVSSIQ
25Q64JVSJQ
SOIC-16 300ミル 64Mビット
W25Q64JVSFIQ
25Q64JVFJQ
WSON-8 6x5mm
64Mビット
W25Q64JVZPIQ
25Q64JVJQ
WSON-8 8x6mm
W25Q64JVZEIQ
25Q64JVJQ
XSON-8 4x4mm
64Mビット
W25Q64JVXGIQ
Q64JVXGJQ
TFBGA-24 8x6mm (5x5ボールアレイ)
W25Q64JVTBIQ
W25Q64JVTBJQ
25Q64JVBIQ
25Q64JVBJQ
TFBGA-24 8x6mm (6x4ボールアレイ) 64Mビット
W25Q64JVTCIQ
W25Q64JVTCJQ
25Q64JVCIQ
25Q64JVCJQ
12ボールWLCSP 64Mビット
W25Q64JVBYIQ 6CJI
SOIC-8 208ミル 64Mビット
W25Q64JVSSIN 25Q64JVSIN
WSON-8 6x5mm 64Mビット
W25Q64JVZPIN 25Q64JVIN
SOIC-8 208ミル 64Mビット W25Q64JVSSIM
W25Q64JVSSJM
25Q64JVSIM
25Q64JVSJM
SOIC-16 300ミル 64Mビット W25Q64JVSFIM
W25Q64JVSFJM
25Q64JVFIM
25Q64JVFJM
WSON-8 6x5mm
64Mビット W25Q64JVZPIM
W25Q64JVZPJM
25Q64JVIM
25Q64JVJM
WSON-8 8x6mm 64Mビット
W25Q64JVZEIM
W25Q64JVZEJM
25Q64JVIM
25Q64JVJM
XSON-8 4x4mm 64Mビット
W25Q64JVXGIM
W25Q64JVXGJM
Q64JVXGIM
Q64JVXGJM
TFBGA-24 8x6mm (5x5ボールアレイ) 64Mビット
W25Q64JVTBIM 25Q64JVBIM
環境および輸出分類
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHSステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168時間) |
| REACHステータス | REACH非影響 |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
